1)  d+D reaction CLC O571.53
d+D核反应
2)  A/D
A/D
1.
New Virtual Instrument Measuring Torsional Vibration with A/D Technique;
基于A/D采样技术的新型扭转振动测量虚拟仪器
2.
Design of A/D and D/A Converters Using Neuron MOS Transistor;
神经MOS晶体管在A/D和D/A转换器中的应用
3.
A/D Device Driver of Based on μClinux and S3C44B0X;
基于μClinux和S3C44B0X的A/D设备驱动程序的设计
3)  D/A
D/A
1.
Infrared Signal Simulator Based on High Speed and High Accuracy D/A;
基于高速高精度D/A的红外信号模拟器实现
2.
Realization of D/A using on-chip PWM channel in the TMS320LF2407A-based system;
基于TMS320LF2407A片内PWM通道的D/A功能实现
3.
Design of a Kind of 16～24 Resolution D/A Converters;
一种16～24位分辨率D/A转换器的设计
4)  IID
ⅡD
1.
Performance analysis of ARMA control chart for IID variables;
首先从历史数据加权角度对应用于ⅡD(independent identical distribution)变量的ARMA控制图统计量进行了分析,结果表明,ARMA统计量对历史数据处理的灵活性优于文中提到的一元控制图,尤其是对当前数据的处理更能适应不同情况的需要,可以选择不同的控制图参数来提高控制图检测异常原因的能力。
5)  d)
d）
6)  A/D/A
A/D/A
参考词条
补充资料：低能核反应机理
    　　低能核反应主要通过复合核反应和直接反应两种机理进行。
　　
　　复合核反应 　复合核反应模型是丹麦科学家N.玻尔于1936年提出来的。该模型假定低能核反应分两阶段进行，而且彼此独立。第一阶段为复合核的形成，即入射粒子和靶核融合为一个新核，称为复合核，历时约10-22秒；第二阶段为复合核的衰变，即复合核分解为出射粒子和剩余核，经历时间比第一阶段长得多，约为10-19～10-13秒。这样，复合核反应可表示为：A+a─→C─→B+b式中C表示复合核。以上两阶段是相互独立的,即复合核如何衰变只决定于复合核本身的性质，而与其形成方式无关。换言之,复合核对于自己的形成方式失去"记忆"。例如,复合核64Zn*可以由两个核反应生成，有三种衰变方式：
　　
　　
　　实验测得其反应截面的比为：
　　
　　
　　证实了上述假定。
　　
　　直接反应 　入射粒子能量较高时，与靶核表面或内部单个核子相互作用，而将本身一部分能量传递给靶核中的一个或几个核子，后者还来不及把能量分配给其他核子时就被发射出来，这种相互作用称为直接反应。直接反应是在约等于入射粒子穿越靶核所需的时间（10-22～10-20秒）内完成的。依情况不同又可分为：
　　
　　①表面直接作用　当入射粒子能量比较低时，主要与靶核表面结合得最松的核子发生作用，而将后者激发（表面激发）或打出（表面嬗变）。
　　
　　②体内直接作用　当入射粒子能量比较高时，可将靶核深处的核子打出来。这种反应称敲出反应。
　　
　　③削裂反应　当入射粒子在靶核边缘掠过时，入射粒子的一个或几个核子被靶核所俘获，其余部分继续前进，如(d,p)反应和(d,n)反应。
　　
　　④拾取反应　入射粒子掠过靶核时，从它里面拾取一个或很少几个核子而结合成较重的粒子并向外飞出，如(p,d)反应和(n,d)反应。
　　
　　⑤非弹性散射　入射粒子把部分能量直接传给靶核而使后者激发，其本身则继续飞行。这种非弹性散射同复合核发射与入射粒子相同的出射粒子不同，属于直接反应。
　　
　　⑥电荷交换反应　入射粒子与靶核不交换粒子，只交换电荷，如(p,n)反应和(3He,t)反应。
　　
　　

参考书目
　　　M.Lefort,Nuclear Chemistry,Van Nostrand,London,1968.
　　

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