1) ultra-low reflectivity
极低剩余反射率
2) residual reflectivity
剩余反射率
1.
,splitting ratio and coupling coefficient and residual reflectivity of SOA (semiconductor optical amplifier),have been examined using a simple traveling wave rate equations model of FRSLs,which is used to calculate threshold current,quanta efficiency and output power.
利用光纤环形腔半导体激光器 (FRSLs)模型 ,同时考虑到增益介质端面剩余反射率、系统光路的耦合效率和耦合分光比的影响 ,对FRSLs速率方程进行理论计算 ,提出优化结构特征参数 ,调控环形腔损耗、阈值、外量子效率和输出功率的方案。
2.
The effect of grating reflectivity and linewidth enhancement factor and H parameter and residual reflectivity on the relation between carrier density and frequency has been imitated by calculating.
采用H参量简化模型研究光栅调谐外腔半导体激光器的双稳特性,导出以H参量表达的双稳环环宽解析式,给出了其适用范围,得到剩余反射率减小时导致双稳环消失的临界值,然后数值模拟了光栅反射率、谱线展宽因子、H参量、剩余反射率对载流子密度与频率关系曲线的影响,从中发现了剩余反射率增大时也存在双稳环环宽为零的情况,数值计算了剩余反射率极限值,并指出了环宽极大值的位置。
3.
The effect of residual reflectivity on the obliquity factor was numerically simulated,and the loop width of before and after using obliquity factor was studied.
采用H参量模型,导出了外腔激光器(ECLD)调谐范围内双稳环的环宽解析式以及决定双稳环存在条件的倾斜因子表达式;数值模拟了剩余反射率对倾斜因子的影响,并比较了引入倾斜因子前后的环宽。
3) facet residual reflectivity
端面剩余反射率
1.
Based on this model,the influence of the facet residual reflectivity on the shape,peak power,and pulse width of the pulse output from the harmonic.
计及SOA端面剩余反射率,建立了基于SOA的谐波锁模光纤环行激光器的理论模型。
4) residual reflection
剩余反射
1.
The experimental results show that the better the refractive index matching and the higher product of the absorption coefficient and the cladding glass thickness,the lower the residual reflection, which result in the better restraint of the parasitic oscillation in amplified spontaneons emission(ASE)and the higher gain from the laser system.
从理论上详细探讨了基质激光玻璃与包边玻璃的折射率匹配与剩余反射率的关系,并从实验上验证了折射率匹配越好,吸收系数与包边玻璃厚度的乘积越大,则剩余反射率越低,从而对激光放大器中寄生振荡的抑制越好,增益也就越高。
2.
The effects of the amplified ripple, which is increased by interference between residual reflections, produced on the coating and the substrate is analyzed.
本文分析了薄膜和基片减反膜间剩余反射产生的干涉使纹波增强的效果;采用破坏膜基体系的平行度来改变干涉条纹的定域,减弱纹波。
6) reststrahlen plate
剩余射线滤光极
补充资料：幕剩余和非剩余的分布
幕剩余和非剩余的分布
istribution of power residues and non-residues
幕剩余和非剩余的分布【业州h面阅of钾哪曰拙抽璐.目叻一砚浦山.;钾〔nPe门e月e“.e eTeneHI.以圈“，e佃I..日‘网吧”.] 在数1，…，m一1中，使得同余方程 yn三x(m团功)在整数中可解(或不可解)的值x的分布.在模为素数P的情形下，对幕剩余和非剩余的分布问题已经作了最充分的研究.设q二g.cd.(。，P一l).那么，同余方程y’三xo议刃P)对集合l，…，P一l中的(p一l)/q个值x可解，而对其余的(q一l)(p一l)/q个值不可解(见二项同余式(t场0一nnco川犷比泊Ce)).但是，对这些值在数1，…，p一1中如何分布知道得比较少. 关于幕剩余的第一个结果是C.F.C冶理铝(见【1))在1796年得到的.从那时起，直到H .M .B捆or，及oB的工作之前，关于幕剩余和非剩余的分布问题只是得到了一些孤立的特殊的结果.1915年B朋。rPa八曲(见【21)对幂剩余和非剩余的分布，及在数l，…，p中模P的原根(p比拍tive IDot)得到了一系列一般的结果.特别地，对模p的最小二次非剩余Nmi。得到了上界估计 N山<夕‘/(功)(hP)’，以及对模p的最小原根嘛得到了上界估计 嘛(2，‘石In户，其中火是p一1的不同的素因数的个数. 此外，他对二次剩余和非剩余的分布提出了一些假设〔见确.印期.假设(V臼10即目ovh典幻t坛‘留))，这推动了这一领域内的一系列研究.幻.B.月均盯田K(!3])证明了:对充分大的N，在区间【N‘，Nl中N面>犷的素数P的个数不超过某个仅与。>0有关的常数C(的.这样，使得凡如>犷的素数p(如果存在的话)是非常稀少的.关于肠阳。印胡曲假设的工作的另一有意义的一步是D.A Bux咨出(〔41)的定理:对任意给定的充分小的占>0，相邻的二次非剩余之间的最大距离d(川满足不等式 d(P)‘A(占)夕’/4+占.特别地，可推出 蠕(B(。);，/叼‘)+。在这些不等式中，常数A(的，B(的仅依赖于占，而和P无关.B也渗溺定理的证明是十分复杂的，它基于关于超椭圆同余方程 yZ‘f(x)(1在对p)的解数的Ha整℃一W已il定理，这定理的证明孺要抽象代数几何的技巧.关于Bux誉，定理的简单说明见【51，【6〕.
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参考词条