1) Slow positron annihilation spectroscopy
慢正电子谱
3) Slow positron
慢正电子
1.
bias on density of defect was studied by slow positron beam.
对在不同极板负偏压下采用射频-直流等离子体方法制备得到的类金刚石膜(a-C:H)的微结构进行了测量,利用慢正电子束实验装置,探测并分析了样品缺陷浓度的分布情况。
4) slow positron beam
慢正电子
1.
Proton irradiation defects in CLAM steel and their annealing behavior studied by slow positron beams
慢正电子束研究质子辐照CLAM钢产生的缺陷及其退火行为
2.
Besides, the proton radiation damage of CLAM steel was probed by slow positron beam.
本论文的目的主要是探讨中国低活化马氏体CLAM钢的辐照损伤机理,研究的重点集中在CLAM钢辐照前的微观分析;Monte Carlo方法对辐照损伤的模拟分析;以及用慢正电子技术研究质子辐照CLAM钢时所产生的缺陷及其退火回复行为,具体内容如下:1。
5) slow positron beam
慢正电子束
1.
Vacancy-type defects induced by He-implantation in ZnO studied by a slow positron beam;
He离子注入ZnO中缺陷形成的慢正电子束研究
2.
Effect of reactive elements Y and Ce on high temperature oxidation ofFe-25Cr-40Ni alloy as well as on composition and microstructure of oxidized layer has beenstudied by ion backscattering and slow positron beam.
用离子背散射和慢正电子束研究了活性元素Y和Ce对Fe-25Cr—40Ni合金在高温初期氧化动力学、氧化膜表层成份和微观缺陷结构的影响,实验结果表明了微量活性元素(≥0。
补充资料：正电子湮没谱学
一种研究物质微观结构的方法。正电子是电子的反粒子,两者除电荷符号相反外,其他性质（静止质量、电荷的电量、自旋）都相同。正电子进入物质在短时间内迅速慢化到热能区,同周围媒质中的电子相遇而湮没,全部质量(对应的能量为2meс2)转变成电磁辐射──湮没γ光子（见电子对湮没）。50年代以来对低能正电子同物质相互作用的研究，表明正电子湮没特性同媒质中正电子-电子系统的状态、媒质的电子密度和电子动量有密切关系。随着亚纳秒核电子学技术、高分辨率角关联测量技术以及高能量分辨率半导体探测器的发展，可以对正电子的湮没特性进行精细的测量，从而使正电子湮没方法的研究和应用得到迅速发展。现在，正电子湮没谱学已成为一种研究物质微观结构的新手段。
实验测量方法主要有正电子寿命测量、湮没γ角关联测量和湮没谱线多普勒增宽测量三类。
正电子寿命谱方法 通常用22Na作正电子源,源强为几微居里到几十微居里。测量设备类似核能谱学中常用的符合系统，称之为正电子寿命谱仪（见彩图），图1是快-快符合系统方框图。谱仪时间分辨率一般为3×10-10s左右，最好的已达1.7×10-10s。
22Na放射的正电子入射到测试样品中,同其中的电子发生湮没,放出γ射线。用1.27MeV的γ光子标志正电子的产生,并作为起始信号,511keV的湮没辐射γ光子标志正电子的"死亡"，并作为终止信号。两个信号之间的时间就是正电子的寿命。在凝聚态物体中，自由正电子湮没的平均寿命在(1～5)×10-10s范围内。
双γ角关联方法 图2是一维长狭缝角关联测量系统示意图。正电子源通常为64Cu、22 Na、Co,测量时相对于固定探头以z方向为轴转动另一探头,测出符合计数率随角度的分布,就可以得到电子在某个方向上的动量分布。该方法要求高精度的机械设备和强源(几十毫居里的点源)，典型的角分辨率为0.5mrad。有些工作采用多探测器系统可作两维动量分布的测量。
测量多普勒增宽谱 使用高能量分辨率Ge(Li)或高纯锗半导体探测器，测量湮没辐射的能谱。能量分辨率可达1keV（对85 Sr,514keV的γ射线）左右。这种方法的优点是只需用几微居里的弱源，获取数据快，适用于动态研究。缺点是获取的数据粗糙，对湮没电子动量的分辨不如角关联实验好，典型情况下差四倍。
正电子湮没技术可用来研究物质微观结构及其变化。在固体物理中应用最广泛。可用来研究晶体缺陷（空位、位错和辐照损伤等），固体中的相变，金属有序－无序相变等。
在无损检验中可用来探测机械部件(如轮机叶片、飞机起落装置)的疲劳损伤,可在小裂缝出现之前作出预报。在化学中可用于研究有机化合物的化学反应，鉴定有机物结构中的碳正离子，研究聚合物的微观结构等。在生物学中，研究生物大分子在溶液中的结构。医学上，用正电子发射断层扫描仪，可得到人的心脏、脑和其他器官的断面图像，研究它们的新陈代谢过程，作出疾病的早期诊断及肿瘤的早期发现。（见彩图）
电子偶素作为惟一的轻子体系，是验证量子电动力学的一个理想的体系。
实验测量方法主要有正电子寿命测量、湮没γ角关联测量和湮没谱线多普勒增宽测量三类。
正电子寿命谱方法 通常用22Na作正电子源,源强为几微居里到几十微居里。测量设备类似核能谱学中常用的符合系统，称之为正电子寿命谱仪（见彩图），图1是快-快符合系统方框图。谱仪时间分辨率一般为3×10-10s左右，最好的已达1.7×10-10s。
22Na放射的正电子入射到测试样品中,同其中的电子发生湮没,放出γ射线。用1.27MeV的γ光子标志正电子的产生,并作为起始信号,511keV的湮没辐射γ光子标志正电子的"死亡"，并作为终止信号。两个信号之间的时间就是正电子的寿命。在凝聚态物体中，自由正电子湮没的平均寿命在(1～5)×10-10s范围内。
双γ角关联方法 图2是一维长狭缝角关联测量系统示意图。正电子源通常为64Cu、22 Na、Co,测量时相对于固定探头以z方向为轴转动另一探头,测出符合计数率随角度的分布,就可以得到电子在某个方向上的动量分布。该方法要求高精度的机械设备和强源(几十毫居里的点源)，典型的角分辨率为0.5mrad。有些工作采用多探测器系统可作两维动量分布的测量。
测量多普勒增宽谱 使用高能量分辨率Ge(Li)或高纯锗半导体探测器，测量湮没辐射的能谱。能量分辨率可达1keV（对85 Sr,514keV的γ射线）左右。这种方法的优点是只需用几微居里的弱源，获取数据快，适用于动态研究。缺点是获取的数据粗糙，对湮没电子动量的分辨不如角关联实验好，典型情况下差四倍。
正电子湮没技术可用来研究物质微观结构及其变化。在固体物理中应用最广泛。可用来研究晶体缺陷（空位、位错和辐照损伤等），固体中的相变，金属有序－无序相变等。
在无损检验中可用来探测机械部件(如轮机叶片、飞机起落装置)的疲劳损伤,可在小裂缝出现之前作出预报。在化学中可用于研究有机化合物的化学反应，鉴定有机物结构中的碳正离子，研究聚合物的微观结构等。在生物学中，研究生物大分子在溶液中的结构。医学上，用正电子发射断层扫描仪，可得到人的心脏、脑和其他器官的断面图像，研究它们的新陈代谢过程，作出疾病的早期诊断及肿瘤的早期发现。（见彩图）
电子偶素作为惟一的轻子体系，是验证量子电动力学的一个理想的体系。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条