1) transparent emitter
透明发射极
2) transparent organic light emitting diode(TOLED)
透明有机发光二极管(TOLED)
3) transparent electrode
透明电极
1.
TiO_2/Ag/TiO_2 transparent conductive nano-multilayers for application to transparent electrodes in flat panel display devices were prepared by vacuum thermal evaporation deposition.
设计和制备了用于平面显示器透明电极的纳米多层薄膜TiO2/Ag/TiO2,它的明视透光率Tlum约为89。
2.
The one-dimensional metal-dielectric photonic band gap (MD-PBG) structure which is used as a transparent electrode was optimized by the photonic crystal theory and the optical multilayer film theory.
结合光子晶体和光学多层膜理论对金属/介质一维光子晶体(MD-PBG)透明电极进行优化设计,得到了在可见区有很高的透过率,而在红外波段有非常高的反射率的设计结果,并用真空热蒸镀的方法制造了与理论设计相符合的具有良好光学和电学性能的透明电极。
3.
Ni microgrid transparent electrodes with different pore sizes (1.
6μm的Ni微网格透明电极。
4) transparent anode
透明阳极
1.
Analysis of the mechanism and characteristic for the transparent anode in a gate commutated thyristor;
门极换流晶闸管透明阳极的机理与特性分析
2.
Study on Conversion Characteristics of RSD with Structure of "Thin-base, Buffer and Transparent Anode";
“薄基区—缓冲层—透明阳极”RSD换流特性研究
3.
Characteristics of the transparent anode for the integrated gated commutated thyristor(IGCT) is analyzed and numerically simulated.
分析了集成门极换向型晶闸管 (IGCT)的透明阳极相对于传统阳极的特点 ,并进行了数值模拟 。
5) transparent cathode
透明阴极
1.
This TOLED introduces a new type of material,lanthanum hexaborides(LaB_6),as transparent cathode,and has the device structures of ITO/TPD/Alq_3/LaB_6.
使用了一种新材料LaB6作为透明阴极,器件结构为ITO/TPD/Alq3/LaB6。
2.
This paper mainly discusses the characters of transparent organic light emitting diode using LaB6 as transparent cathode material.
介绍了利用LaB6材料制作透明有机电致发光二极管(TransparentOrganicLightEmittingDiode,TOLED)的透明阴极的特性;研究了80～250nm膜厚的透明阴极的光谱特性———在可见光范围内的透过率,其透过率在40%～70%之间,并对LaB6材料制作的透明阴极与利用Mg∶Ag合金和ITO制作的透明阴极的性能进行了比较。
补充资料：发射极功能逻辑电路
以"与"门输入和"或"门输出的非饱和型逻辑电路,简称EFL电路。它无"非"门的功能。其基本单元电路由两部分组成：由共基极工作方式的多发射极晶体管与上拉电阻Rc、下拉电阻Re构成输入级；由多发射极晶体管构成射极跟随器输出级(见图)。这种逻辑电路出现于70年代。在发射极功能逻辑电路中，共基极方式工作的输入晶体管的集电极 G点的电位与发射极输入端的逻辑关系为G＝A·B,发射极跟随器不改变其逻辑关系，而发射极跟随器发射极输出的"线"功能可实现"或"逻辑。因此，图中电路的输入、输出有如下逻辑关系
O1＝A·B＋C
O2＝A·B＋D
发射极功能逻辑同发射极耦合逻辑相同，典型的逻辑摆幅值为0.8伏,逻辑高电平为-0.8伏，逻辑低电平为-1.6伏，而参考电压Ub为-0.4伏。发射极功能逻辑电路是由发射极耦合逻辑电路改进而成。发射极耦合逻辑电路同相集电极构成"与"功能，射极跟随器的发射极输出能形成"或"功能，并只取发射极耦合逻辑电路的同相输出部分。
在发射极功能逻辑基本单元电路中，输入级和输出级除共基和共集两只多发射极晶体管外，不包括任何反相器，这就保证了电路的高速度和良好的频率特性。
然而，发射极功能逻辑电路没有"非"的功能是一大缺点，因而应用受到限制。同时,由于Ub＝-0.4伏,输入晶体管集电结有0.4伏正偏,只有逻辑幅度和集电极串联电阻受到限制，才能保证输入晶体管集电极正偏不至于恶化到影响正常工作。
发射极功能逻辑电路是在发射极耦合逻辑电路基础上的简化电路，它在大规模集成电路中作为内部单元电路和在与发射极耦合逻辑电路配合时，以构成各种组合门方面显示出速度快、结构简单、功耗小和功能灵活等优点。
参考书目
复旦大学微电子教研组编:《集成电路设计原理》,人民教育出版社出版，北京，1978。
O1＝A·B＋C
O2＝A·B＋D
发射极功能逻辑同发射极耦合逻辑相同，典型的逻辑摆幅值为0.8伏,逻辑高电平为-0.8伏，逻辑低电平为-1.6伏，而参考电压Ub为-0.4伏。发射极功能逻辑电路是由发射极耦合逻辑电路改进而成。发射极耦合逻辑电路同相集电极构成"与"功能，射极跟随器的发射极输出能形成"或"功能，并只取发射极耦合逻辑电路的同相输出部分。
在发射极功能逻辑基本单元电路中，输入级和输出级除共基和共集两只多发射极晶体管外，不包括任何反相器，这就保证了电路的高速度和良好的频率特性。
然而，发射极功能逻辑电路没有"非"的功能是一大缺点，因而应用受到限制。同时,由于Ub＝-0.4伏,输入晶体管集电结有0.4伏正偏,只有逻辑幅度和集电极串联电阻受到限制，才能保证输入晶体管集电极正偏不至于恶化到影响正常工作。
发射极功能逻辑电路是在发射极耦合逻辑电路基础上的简化电路，它在大规模集成电路中作为内部单元电路和在与发射极耦合逻辑电路配合时，以构成各种组合门方面显示出速度快、结构简单、功耗小和功能灵活等优点。
参考书目
复旦大学微电子教研组编:《集成电路设计原理》,人民教育出版社出版，北京，1978。
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