1) ZrSiN
ZrSiN
1.
Cu/ZrSiN and Cu/ZrN films were grown on Si(111) substrates with reactive magnetron sputtering and ion beam auxiliary deposition(IBAD),respectively.
用反应磁控溅射和离子束辅助沉积 (IBAD)方法分别在 ( 111)单晶硅基体上沉积了Cu/ZrSiN与Cu/ZrN膜系 ,制得的试样在 80 0℃下分别在真空和N2 、H2 混合气体两种气氛中退火 1h ,结果表明 ,在真空中退火的Cu/ZrSiN膜由于ZrSiN膜裂纹导致Cu膜裂纹的产生 ;ZrSiN和ZrN扩散阻挡层上的Cu膜还有很多由晶界迁移导致的孔洞。
2) ZrSiN film
氮硅锆涂层
补充资料：硅锆
silicozirconium：锆和硅组成的合金，主要用于炼合金钢的脱氧剂和合金添加剂；在铸铁生产中加锆可促进石墨化，缩短韧性铸铁的退火时间。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。