1) mobility and threshold voltage temperature effects
迁移率和阈值电压温度效应
1.
On the basis of mutual compensation of mobility and threshold voltage temperature effects, a stable CMOS band-gap voltage reference circuit was designed and fabricated in CSMC-HJ 0.
利用CMOS晶体管迁移率和阈值电压温度效应相互补偿的原理 ,采用CSMC HJ 0 6 μmCMOS技术设计了一种稳定的带隙参考电压源 ,该带隙参考电压源可以在 0～ 85℃、电源电压 4 5～5 5V的范围内正常工作 ,输出参考电压为 1 12 2～ 1 176V ,输出参考电压浮动比例小于± 3 70 % 。
2) threshold voltage's temperature coefficients
阈值电压温度系数
4) resistivity-temperature effect
电阻率-温度效应
5) dual-threshold migration
双阈值迁移
6) threshold voltage shift
阈值电压漂移
1.
The mechanisms for a-Si∶H-TFT threshold voltage shift were analyzed.
分析了a-Si∶H-TFT阈值电压漂移的机理,即分析了栅偏应力下电荷注入到SiNx∶H栅绝缘层和a-Si∶H中亚稳态的产生对TFT阈值电压漂移的影响。
2.
The threshold voltage shift induced by irradiation was studied based on the test results.
实验证明辐照使MOS管的阈值电压负向漂移,辐照时非零栅源电压引起的MOS管阈值电压漂移明显大于零栅源电压情况,宽长比对阈值电压漂移量影响不大。
3.
This paper investigates the dependence of threshold voltage shift of organic thin-film transistors (OTFT) based on copper phthalocyanin (CuPc) on gate stress voltage and stress time.
研究了有机薄膜晶体管(Oganicthinfilmtransistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性。
补充资料：电压波动和电压闪变抑制
电压波动和电压闪变抑制
suppression of voltage fluctuation and flicker
d ianyabodong he dianyashan bion yizhi电压波动和电压闪变抑制(suppression。fvoltage fluetuation and flieker)冶金工厂中的电弧炉、大电动机、大电焊机等工作时，负荷电流的大幅度增减，引起电压急剧变化，其变化速度大于每秒。.2%，此时出现电压调幅波中的最高电压与最低电玉均方根值之差，称为电压波动。电压波动和有时伴随产生的电压闪变导致用电设备运行不稳定，照明闪烁，影响正常生产、生活甚至人身健康。因此，须对电压波动和闪变进行抑制，使其控制在允许范围内。 在中国按国家标准(GB12326一90)规定，电力系统公共供电点的电压波动允许值为:10kV及以下为2.5%，35~110kV为2.0%，220kV及以上为1.6%。在冶金工厂内部(非公共供电点)，按本行业的有关规定，当电弧炉和轧钢大电动机由单独变压器供电时，其用电电压波动允许值可放宽到5%以内。 在电弧炉的熔化期，冲击性无功负荷产生快速的电压波动，使照明灯光发生闪烁，引起人的视觉疲劳而使情绪烦燥，还可能导致电视荧屏监控图像不稳、精密电子仪器工作不正常等。此种人的眼睛对于灯闪的主观感觉称为闪变。对闪变的程度，以对人的眼睛最为敏感的loHz频谱的等效闪变电压值△V10的大小来衡量和评价，按国家标准(GB12326一90)规定，电力系统公共供电点的允许△V10推荐值为:照明要求较高的白炽灯负荷为0.4%，一般性照明负荷为。，6%。 其抑制措施是:(l)对于轧机主传动的冲击性负荷，设计时采用减少电网感抗，以提高供电点的短路容量;或利用自备发电厂发电机，大型同步电动机(如高炉电动鼓风机)进行跟踪补偿;或将两个以上的冲击负荷在时间上错开;或设立单独的静止型动态无功补偿器等加以解决。后者有晶闸管开关电容器式(TSC)、晶闸管控制电抗器式(TCR)、晶闸管控制高阻抗变压器式(TCT)、自饱和电抗器式(SSR)、可控饱和电抗器式(CSR)、复合式(TCR十TSC)和自激变换器式(SVG)等多种类型。(2)对于电弧炉冲击性负荷，设计时采用减少电网感抗以提高供电点的短路容量;或设置单独的静止型动态无功补偿器等加以解决。由于电弧炉在熔化期三相负荷经常不平衡，闪变剧烈，要分相进行控制。要求补偿器响应速度快(全过程的响应时间应小于1个周波)参设计通常采用TCR、SSR、TCT和TCR二TSC等几种静止型动态无功补偿器。 (张炳炎)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条