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1)  distribution of neutron exposures
中子辐照量分布
1.
Based on the present s-Process nucleosynthesis models for AGB stars, with~(13)C pocket releasing neutrons radiatively in interpulse period, using the simplified assumption that the~(13)C pocket is subdivided into three layers, the asymptotic distribution of neutron exposures in the He intershell is investigated.
结果表明,中子辐照量分布不再是通常所认为的指数形式,曲线先有一个简短的上升然后再单调下降,但除中子辐照量较低的一个小区域外,分布曲线仍与指数分布非常接近。
2.
For the old s-process models,the scenario of s-process in the convective zone can naturally lead to an exponential distribution of neutron exposures (hereafter "DNE" for the "distribution of neutron exposures" ).
介绍了AGB(Asymptotic Giant Branch)星s-过程核合成区域中子辐照量分布的最新研究结果。
3.
Based on the radiative s-process model for low-mass asymptotic giant branch(hereafter AGB) stars,an investigation on the characteristics of distribution of neutron exposures(hereafter DNE) in nucleosynthesis region is presented.
根据13C辐射燃烧的低质量AGB(asymptotic giant branch)星s-过程核合成模型,考察氦壳层核合成区域中子辐照量分布(简称DNE)的特点。
2)  the distribution function of neutron exposure
中子辐照量分布函数
3)  neutron exposure
中子辐照量
1.
Besides, by the comparison of the model parameters of the three lead rich stars with those of two very metal poor stars (LP625 44 and LP706 7), we find out that the average neutron exposure of the former is larger.
另外 ,铅星与非铅星的模型参量对比显示 ,铅星的平均中子辐照量远大于非铅星 ,而其挖掘程度明显小于非铅星 。
4)  High-dose neutron irradiation
高注量中子辐照
5)  neutron irradiation
中子辐照
1.
The intrinsic gettering in neutron irradiation czochralski-silicon;
中子辐照直拉硅中的本征吸除效应
2.
The effect of H,O and neutron irradiation on the tensile properties of the V-Cr-Ti alloys was summarized briefly.
综述了核聚变用结构材料V-Cr-Ti系合金的低活化特性、高温强度、耐液态金属腐蚀、抗中子辐照肿胀等性能的研究现状。
3.
Nanodiamond treated by neutron irradiation is studied by Raman spectroscopy.
利用Raman光谱对经中子辐照处理的纳米金刚石微粉进行了分析 ,中子能量为 0 5~ 1 0MeV ,辐照剂量 1 0 1 6~ 1 0 1 7n·cm-2 。
6)  Neutron radiation
中子辐照
1.
Effects of neutron radiation on seed germination and seedling growth in ornamental kale;
中子辐照对观赏羽衣甘蓝种子萌发及幼苗生长的影响
2.
Radiation experiments include neutron radiation with the dose of2.
进行了中子辐照和γ辐照实验,其中中子注量为2。
3.
The neutron radiation effects on 0.
18μm的超深亚微米LDD NMOSFET的中子辐照效应。
补充资料:聚合物的分子量和分子量分布


聚合物的分子量和分子量分布
molecular weight and molecular weight distribution of polymers

I(M)值。分级方法的另一个弱点是实验操作费时、繁复,已逐渐被凝胶色谱法所取代。 ②超离心沉降法。在超离心机的几十万倍地心重力的离心力场内,可以看到高分子溶液中的沉降而分出界面。这个界面将随沉降过程而变弥散。界面变宽,一方面是由于试样的分子量分布造成的,因为不同分子量的组分有不同的沉降速率;另一方面是由于与沉降运动方向相反的扩散过程引起的。通过适当的数据处理,可以从沉降界面的浓度分布减去扩散变宽以后得到试样的沉降系数分布W(s),再通过沉降系数一分子量关系S(M),就可算出试样的分子量分布W(M)。 ③凝胶色谱法。应用最广泛的方法。多分散高分子接液在进入色谱柱后,被榕剂按分子大小(即分子量大小)淋出柱外。淋出液由2个检测器检测。1个检测浓度,另1个检侧分子量。通常用示差折光计检侧浓度,用自动粘度计或光散射计检测分子量。记录的曲线即分子量分布曲线。也可以用已知分子量窄分布的标样或已知分子量的宽分布标样标定色谱柱,然后从淋出体积与.分子量的关系式换算成分子量而得到分子量分布曲线。由于色谱柱的分离效率不是无限的,实验所得到的曲线将由于各种因素而引起峰的加宽。在精确的测试中或色谱柱柱效较低时,需要考虑峰加宽改正。 分子量和分子1分布刚定的意义分子量和分子量分布是高分子材料的基础结构参数,与聚合过程和材料的加工性能以及使用性能有密切关系。聚合物的加工过程,如融熔纺丝、模压、往塑成型和吹塑成膜等,都涉及聚合物熔体或本体的流变性质。其中粘度和弹性(可回复形变)都有强烈的分子量依赖性。例如低切变速度下的熔体粘度和,在一定分子量以上将正比于分子量的3 .4次方;表征熔体弹性的第一法向应力差也正比于分子量的7一8次方。高分子量的熔体粘度还有强烈的非牛顿性的切变速度依赖性。分子量与交联过程也有一定关系。聚合物的使用性能,虽然主要决定于聚合物的凝聚态结构,但是分子链的取向、弛豫过程和结晶过程都显著依赖于分子量。因面宏观的使用性能,如抗张强度、断裂伸长、扬氏模量‘硬度、冲击强度、软化温度、在溶剂中的溶解度、粘接性能都有分子量和分子量分布的依赖性。除最后两项性能外,所有性能都随分子量的增大而增大,但分子量到达一定数值后其增量将趋平缓。一个高分子材料试样中所包含的许多高分子,它们的分子量可以不相同。这种分子量的不均一性称为分子量多分散性。因而,对一个试样来说,它的分子量有一个分布,用一般分子量测定方法所得的只是一个平均值。 聚合物分子童分布和平均分子童分子量多分散的体系可以用分布函数表示。
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参考词条