1) sputtering parameter
溅射参数
1.
The Influences of Sputtering Parameters on Formation and Structure of Fe-Si Compounds;
溅射参数对Fe-Si化合物的相形成及结构的影响
2.
SmCo/Cr thin films show different magnetic properties when the sputtering parameters of Cr underlayers are changed.
利用X射线衍射法对Cr底层晶面取向和磁控溅射参数之间的关系进行了研究 ,结果表明 :如果改变溅射参数 ,使沉积Cr原子获得较大的能量 ,则有利于Cr底层最终以 ( 110 )晶面择优取向。
3.
The effects of sputtering parameter on the optical constants( n,k ) of Ge 2Sb 2Te 5 thin films in the wavelength range of 300—830nm were studied.
研究了溅射参数对 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的光学常数随波长变化关系的影响 ,结果表明 :(1)当溅射功率一定时 ,随溅射氩气气压的增加 Ge2 Sb2 Te5 薄膜的折射率先增大后减小 ,而消光系数先减小后增大 。
2) sputtering factors
溅射参数
1.
The structure of Cr underlayer depended on several sputtering factors, and directly influenced the coercivity of SmCo/Cr films.
设计了4因素3水平的正交实验L9(34),并通过数理统计的方法分析了Cr底层的溅射参数对SmCo/Cr薄膜矫顽力的影响。
3) RF-Sputtering Parameters
射频溅射参数
5) sputtering
[英]['spʌtə] [美]['spʌtɚ]
溅射
1.
XPS study of Ni_(49.54)Mn_(29.59)Ga_(20.87) magnetically driven shape memory alloy thin film fabricated by D.C magnetron sputtering technique;
直流磁控溅射Ni_(49.54)Mn_(29.59)Ga_(20.87)磁驱动记忆合金薄膜的XPS研究
2.
Growth and characterization of aluminum nitride films by penning-type discharge plasma sputtering process;
潘宁放电溅射沉积纳米级AlN薄膜的性质
3.
Growth of TiN Film by Modified Ion Beam Enhanced Magnetron Sputtering;
气离溅射离子镀制氮化钛
6) Sputtered
[英]['spʌtə] [美]['spʌtɚ]
溅射
1.
In order to improve appearance and hydrophobicity of waterproof and moisture permeable coatings, the yellowish of sputtered polymeric fluorocarbon films was investigated.
为改善射频溅射法制备的防水透湿涂层的外观和拒水性 ,对涤纶织物基底上的溅射氟碳高分子膜的泛黄问题进行了研究。
2.
By means of the Monte-Carlo simulation based on the binding collision approximation,this paper investigates the sputtering of Silver and Cadmium element targets bombarded by 27 keV Ar+ ions and studies the spatial distribution of sputtered atoms by collision cascade.
用蒙特卡罗方法模拟能量为２７ｋｅＶＡｒ＋轰击Ａｇ和Ｃｄ单元素靶的力学运动，以研究级联碰撞产生的溅射原子的空间分布情况，对计算结果进行适当的数学处理，以得出微分溅射产额角分布。
3.
The XRD patterns of SnO2 thin film sputtered with different methods are compare 1 for their difference in the field of structure.
本文采用三种不同的溅射方法制备具有纳米尺度的SnO2薄膜,针对溅射方式的不同,结合薄膜结构上的差异,对三种溅射方式制备的SnO2薄膜进行了XRD分析比较。
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条