1) nonlinear normalization
非线性规范化
1.
An improved nonlinear normalization method based on density equalization of the exact character area is proposed for recognition of unconstrained handwritten Chinese characters on an image of Chinese cheque.
针对银行支票图像大写金额的无限制手写体汉字识别问题,进行了基于密度均衡原则的非线性规范化研究,提出了一种改进的非线性规范化方法。
2.
A nonlinear normalization method is proposed in this paper,which adjusts,on the one hand,the distribution of strokes to equalize the distribution density of strokes,and on the other the thickness of strokes to make the w.
文章提出了一种非线性规范化方法,它一方面调整了汉字的笔划分布,使笔划的分布密度趋于均匀;另一方面又调整了笔划的粗细,使笔划的宽度趋于一致。
2) Nonlinear programming
非线性规化
3) denormalization
[di:,nɔ:məlai'zeiʃən]
非规范化
1.
It also discusses the advantages and disadvantages of denormalization.
本文首先介绍了数据库设计中的关系规范化理论 ,然后从提高数据库性能的角度 ,介绍了非规范化设计技术和几种常用的非规范化设计方法 ,并对这些方法的优缺点以及使用时的注意事项做了较为深入的论述。
4) Unnormalized
非规范性
1.
Research on Unnormalized Knowledge Processing Technic of Machinery Manufacture Information Resource;
制造知识内涵丰富，具有多样性、复杂性、经验性和非规范性等特点，在相当程度上增加了对设计制造知识进行有效的归纳、整理、挖掘和应用的难度，同时也降低了其可重用性和可集成性，为企业信息交互带来了困难。
5) non-linear change tendencies
非线性变化规律
6) dual nonlinear programming
对偶非线性规化
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条