1) Si-APD
硅雪崩二极管
2) SiAPD
硅雪崩二极管(SiAPD)
3) Avaknch photodiode
雪崩硅光二极管
4) Si-avalanche photo-diode
硅雪崩光二极管
5) silicon single photon avalanche diode
硅单光雪崩二极管
6) APD
雪崩二极管
1.
The brief overview of the principle and characteristics of the devices such as PIN photodiode,APD(general avalanche photodiodes),SL-APD(superlattice avalanche photodiodes),WGPD(waveguide photodetector),RCE-PD(resonant-cavity-enhanced photodiode),MSM(metal-semiconductor-metal) photodetectorand,are compared.
分别对PIN光电探测器,普通雪崩二极管,超晶格雪崩二极管,波导型光电探测器,振腔增强型光电探测器,金属-半导体-金属光电探测器的原理和特点做了简要概括,并做系统比较,最后对光电探测器发展前景进行展望。
2.
The APD was used as fluoresce.
该系统以光纤代替激光诱导荧光检测系统中复杂庞大的共聚焦检测光路,利用雪崩二极管作为荧光检测单元,通过曲柄实现了电机的匀速旋转到扫描轴的扫描运动转换,实现了多通道的扫描检测,构建了体积小、灵敏度高、功耗小的多通道毛细管电泳检测系统。
3.
In the laser receiver system,low noise APD and high_bandwidth amplifier are use to obtain useful signal.
在激光发射方面,使用专用的激光二极管和高性能驱动芯片产生高质量的光脉冲作为测距信号;在光信号接收方面,使用对特殊波长响应度极高的低噪声的雪崩二极管作为接收器件,利用高带宽放大芯片提取有用信号。
补充资料：雪崩二极管
利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。雪崩二极管振荡原理是W.T.里德于1958年提出的。1965年，R.L.约翰斯顿等人在硅PN结二极管中实现了这种雪崩微波振荡。
雪崩二极管能以多种模式产生振荡，其中主要有碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)模式，简称崩越模式。其基本工作原理是：利用半导体PN结中载流子的碰撞电离和渡越时间效应产生微波频率下的负阻，从而产生振荡。另一种重要的工作模式是俘获等离子体雪崩触发渡越时间(TRAPATT)模式,简称俘越模式。这种模式的工作过程是在电路中产生电压过激以触发器件，使二极管势垒区充满电子-空穴等离子体，造成器件内部电场突然降低,而等离子体在低场下逐渐漂移出势垒区。因此这种模式工作频率较低，但输出功率和效率则大得多。除上述两种主要工作模式以外，雪崩二极管还能以谐波模式、参量模式、静态模式以及热模式工作。
雪崩二极管的结构可分为两大类：单漂移区雪崩二极管和双漂移区雪崩二极管。单漂移区雪崩二极管的结构有PN、 PIN、 P+NN+(或N+PP+)、P+NIN+(或N+PIP+)、MNN+。其中P+NN+结构工艺简单,在适中的电流密度下能获得较大的负阻，且频带较宽，因此在工业中应用较多。双漂移区雪崩二极管是 1970 年以后出现的，其结构为P+PNN+，实质上相当于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联，从而有效地利用了电子和空穴漂移空间，因此输出功率和效率均较高。
制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。
雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，广泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。
雪崩二极管能以多种模式产生振荡，其中主要有碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)模式，简称崩越模式。其基本工作原理是：利用半导体PN结中载流子的碰撞电离和渡越时间效应产生微波频率下的负阻，从而产生振荡。另一种重要的工作模式是俘获等离子体雪崩触发渡越时间(TRAPATT)模式,简称俘越模式。这种模式的工作过程是在电路中产生电压过激以触发器件，使二极管势垒区充满电子-空穴等离子体，造成器件内部电场突然降低,而等离子体在低场下逐渐漂移出势垒区。因此这种模式工作频率较低，但输出功率和效率则大得多。除上述两种主要工作模式以外，雪崩二极管还能以谐波模式、参量模式、静态模式以及热模式工作。
雪崩二极管的结构可分为两大类：单漂移区雪崩二极管和双漂移区雪崩二极管。单漂移区雪崩二极管的结构有PN、 PIN、 P+NN+(或N+PP+)、P+NIN+(或N+PIP+)、MNN+。其中P+NN+结构工艺简单,在适中的电流密度下能获得较大的负阻，且频带较宽，因此在工业中应用较多。双漂移区雪崩二极管是 1970 年以后出现的，其结构为P+PNN+，实质上相当于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联，从而有效地利用了电子和空穴漂移空间，因此输出功率和效率均较高。
制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。
雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，广泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条