1)  hot-wall chemical vapor deposition
热壁CVD
1.
GaN thin film was grown on Si(111) by hot-wall chemical vapor deposition.
用热壁CVD法在Si(111)衬底上生长GaN薄膜,用扫描电镜(SEM)观察发现在表面上有大量微晶粒,这些晶粒的直径在2-4μm之间。
2)  horizontal hot-wall CVD
水平热壁CVD
3)  HWCVD
低压热壁CVD
4)  Hot Wall
热壁
1.
Selecting Material of Hot Wall Hydrogenated Reactor and Its Temper Brittelness;
热壁加氢反应器的选材及材料的回火脆性
2.
Experiment analysis of gasoline-air mixture deflagration under the condition of hot wall;
高热壁油气热爆燃实验研究
5)  Hot Wall Epitaxy
热壁外延
1.
The CdTe/CdZnTe/Si thin film (Φ30mm) was grown with Hot Wall Epitaxy (HWE) technique.
用热壁外延法 (HWE)生长直径 30mm的CdTe/CdZnTe/Si薄膜 ,经XRD测试说明它是晶面为 (111)取向的立方闪锌矿结构。
2.
This paper reports the growth of GaAs layer on Si substrate by hot wall epitaxy (HWE).
报道了采用热壁外延 (HWE)技术 ,在Si表面生长GaAs薄膜。
3.
GaAs polycrytalline thin films with good performance were prepared on conducting glass and Si by hot wall epitaxy (HWE) , which were suitable for solar cell .
本文介绍以Si和SnO_2／Glass两种材料为衬底，采用热壁外延的方法得到结构良好的，适合作GaAs太阳电池的GaAs多晶薄膜。
6)  hot wall furnace
热壁炉
参考词条
补充资料：古意题徐令壁（一作题著作令壁）
【诗文】：
白云苍梧来。
氛氲万里色。
闻君太平世。
栖泊灵台侧。





【注释】：



【出处】：
全唐诗：卷84_54
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