1) MCT
MOS控制晶闸管
1.
The structure and principle of the new power device MCTCMOS controlled thvristor are mtrodcued The Model of MCT under the condition of turn-off is studied.
介绍了新型功率器件MCT(MOS控制晶闸管)的基本结构,工作原理详细地探讨了MCT在关断情况下的建模,采用状态空间分析法推导出了MCT的可关断的最大电流与其结构的关系,并利用MATLAB/Simulink仿真证明了结论的正确
2.
The analytical expression for the maximum controllable current in MCT is established and it is only related to the emitter shorted current and current gain in coupled transistors, which is also simulated based on the MCT model.
建立了MOS控制晶闸管最大可关断电流的解析关系式 。
2) power semiconductor devices/MCT
电力半导体器件/MOS控制型晶闸管
3) MOS gated thyristor
MOS栅晶闸管
1.
A novel device called self protected MOS gated thyristor is reported for the first time.
本文报告一种叫做自保护MOS栅晶闸管的新器件 。
5) transistor control module
晶闸管控制单元
1.
Modifying excitation system of ball mill unit by use of JKCL-Ⅲ integrated circuit transistor control module;
采用JKCL-Ⅲ 型集成电路晶闸管控制单元改造球磨机励磁系统
6) computer-controlled thyristor
微机控制晶闸管
补充资料：晶闸管控制变压器
晶闸管控制变压器
thyristor controlled transformer, TCT
J一ngzhoguon kongZh}b一onyaq-晶闸管控制变压器(thyristor。ontrolled trans-former，TCT)用反向并联晶闸管阀与高阻抗变压器二次绕组串联，并通过晶闸管阀对触发角的相位控制来调节无功功率的静止无功补偿装1。其主要优点是:①可直接接人高压系统，省去另外配置变压器，使配电装里简化;②将配电电压经高阻抗变压器降压，从而可用低压大电流并联方式的晶闸管阀代替技术上较复杂的高压串联方式的晶闸管阀，有时还可带来结构设计上的便利;③控制灵活，也有分相调节功能。其主要缺点是:①损耗比较大;②滤波器必须接在高阻抗变压器的一次侧，在电力系统中TCT的滤波器往往还要吸收系统的谐波分量而可能引起过载;③无功出力和电压平方成正比。 结构原理TCT主要由高阻抗变压器、晶闸管阀和控制器组成，其结构如图所示。高阻抗变压器的漏抗通常设计在50%一100肠之间.具体数值由整机的优化 U要求确定。高阻抗变压，器的大量漏磁通将在变压器的铁磁件和油箱中引起大量涡流损耗和磁带损耗，从而引起严重发热和油质老 TCT结构示意图1一高阻抗变压器.2一晶 闸管阀.3一控制器化。制造厂家采取磁屏蔽和拉直横向磁通等措施予以改善。 TCT的工作原理与TCR相似。(见晶闸管控制并联电杭器) 用途TCT配以固定连接的电容器或滤波器，组成连续可调感性或容性无功功率的静止补偿装t，主要用于冲击负荷工业用户。(见静止无功补偿装1) 发展概况自1976年起，日本以及德国的一些电气制造公司为钢铁企业提供TCT型静止补偿装里.单台容量为1一20 Mvar，晶闸管阀的额定电压大约在lkV左右。1979年在加拿大735 kV输电系统的劳伦第德变电所投人了当时世界上应用于电力系统的最大的一套TCT，其可调部分的容量为450 Mvar。目前TCR型静止无功补偿装置逐渐取代了TCT型。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条