1) in situ SiN_x deposition
SiN_x原位淀积
1.
Residual stress in the GaN epitaxial film prepared by in situ SiN_x deposition;
使用SiN_x原位淀积方法生长的GaN外延膜中的应力研究
2) PLD in situ
激光原位淀积
3) precipitation in situ
原位沉淀
4) atomic layer deposition
原子层淀积
1.
Preparing aluminum nitride thin film by atomic layer deposition
氮化铝薄膜的原子层淀积制备及应用
2.
Density functional theory was employed to investigate atomic layer deposition(ALD)mecha-nism of zirconia on Si(100)-2×1 surface with single and double hydroxyl groups.
用密度泛函方法研究了ZrO2在羟基预处理的Si(100)-2×1表面原子层淀积(ALD)初始反应过程的反应机理,ZrO2的ALD过程包括两个前体反应物ZrCl4和H2O交替的半反应。
3.
And atomic layer deposition(ALD) has become more and more popular due to its precise thickness control in film deposition.
而原子层淀积(ALD)工艺由于其精确的厚度控制,在high-k栅介质的集成工艺上受到了广泛关注。
5) ALD
原子层淀积
1.
Due to many outstanding characters of ALD,it has been widely used in many fields within Microelectronics.
比如当特征尺寸减小到45nm以下时,等效栅氧化层的厚度将会变得小于1nm,隧穿电流开始非常显著,这就需要采用一种新的技术—原子层淀积(Atomic Layer Depositon,简称ALD)制备高k栅介质。
2.
Through the change of ALD process,we can deposit three kinds of HfAlO film with different Al∶Hf atomic ratio.
采用原子层淀积(ALD)的方法在Si(100)衬底上制备了铪铝氧(HfAlO)高介电常数介质,并研究了N2和NH3退火对于介质薄膜的影响。
3.
It reveals that atomic layer deposition(ALD)is one of best method for making HfO2 dielectric materials.
比较了HfO2介质材料的电学性能、热稳定性能及可靠性能,综述了HfO2介质材料的前景,指出原子层淀积(ALD)是制备HfO2介质材料的最好方法之一。
6) in-situ co-precipitation
原位共沉淀
补充资料：化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积（chemicalvapourdeposition(CVD)）
化学气相淀积是一种气体反应过程。在这个过程中，由某些选定气体的热诱导分解在衬底上形成某种介质层。在硅平面器件及集成电路中最常用的是淀积SiO2，Si3N4和多晶硅。化学气相淀积也广泛用于半导体单晶薄膜的外延生长，特别是多层膜的外延生长。在光电子器件和微波器件的制作中尤其常用。CVD方法视工作时反应室中气体压强不同分为常压、低压和超低压CVD。根据化学反应能量提供方式不同可分为热分解、光加热、射频加热、热丝、光、等离子体增强和微波等离子体增强CVD。按反应气源不同又分为卤化物、氢化物和金属有机化合物CVD（MOCVD）。
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参考词条