1) BaTiO3 ultrathin film
钛酸钡超薄膜
4) Ba_(1-x)Sr_xNb_yTi_(1-y)O_3 film
钛铌酸锶钡薄膜
6) BST film
钛酸锶钡薄膜
1.
The result showed that there have obvious effects with characters BST film under different annealing conditions.
利用氩离子束镀膜技术和硅平面工艺在经过干氧氧化的硅衬底上制备一层钛酸锶钡薄膜 ,并在氧气中进行不同条件的退火处理 ,然后蒸铝及利用光刻技术制作铝电极而形成 MIOS电容结构 ,研究其物理及电学特性。
补充资料：钛酸钡薄膜
分子式：
CAS号：
性质：以钛酸钡为电介质的薄介质材料。介电常数在16～1900范围内，损耗与薄膜结构有关，无定形膜损耗为0.5％，多晶膜为6.5％。采用射频溅射方法制备。用于制造大容量的电容器。
CAS号：
性质：以钛酸钡为电介质的薄介质材料。介电常数在16～1900范围内，损耗与薄膜结构有关，无定形膜损耗为0.5％，多晶膜为6.5％。采用射频溅射方法制备。用于制造大容量的电容器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条