1) nonlinear creep
非线性徐变
1.
An ameliorative nonlinear creep model and its application to thermal stress simulation during construction period
改进的非线性徐变模型及其在混凝土坝施工期温度应力仿真分析中的应用
2.
Creep of RCC consists of approximate linear creep at the level of low stress and nonlinear creep at the level of high stress.
碾压混凝土的徐变包括低应力水平下的近似线性徐变和高应力水平下的非线性徐变,在低应力水平下,损伤值较小,徐变近似线性,可以应用叠加原理;在高应力水平下,损伤值较大,徐变表现为明显的非线性,叠加原理不再适用,高应力水平下徐变的非线性特征可以用线性徐变和损伤耦合来描述。
2) linearcreep problem
线性徐变问题
3) line of creep
徐变线
4) Creep behavior
徐变性能
1.
By taking track girders on Qinhuangdao-Shenyang quasi-high-speed dedicated passenger railway as prototypes,an experiment for about 3 a was conducted on three prestressed concrete model beams with a geometrical simulation ratio of 1 to 5 to probe into their creep behaviors.
以秦沈客运专线轨道梁为原型,设计了3根1∶5大尺度T型预应力混凝土模型梁,进行了为期3 a的徐变性能试验,重点考察了混凝土种类和预应力筋张拉方式对轨道梁徐变变形的影响。
6) specific creep curves
徐变度曲线
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条