1) nonlinear acoustic impedance
非线性声阻抗
2) nonlinear acoustic resistance
非线性声阻
3) non-linear impedance
非线性阻抗
4) nonlinear impedance transformation
非线性阻抗变换
1.
This paper presents a new nonlinear impedance transformation tache with inductance ,varied with the voltage.
设计了一种随电压而改变的电感型非线性阻抗变换环节,并应用到常规桥式整流电路的电容滤波环节前,保证当电源电压低于整流直流电压时,使非线性阻抗值也随之发生变化,有效地克服和缩小输入电流的死区范围,减少谐波含量,从而改善了系统的功率因数品质。
2.
This paper presents a new nonlinear impedance transformation rectifier circuit with capacity, according to the characteristics of dead area,top wave in the common rectifier circuit, utilizing the coupling circuit form of connection and fold,based on the trait of turn on, shut off and store up the energy to nonlinear impedance component.
针对常规整流电路输入电流存在死区、呈尖顶波的特点,利用非线性阻抗元件的导通、关断及储能的特性,采用交叠泵升的电路连结形式,设计了一种非线性阻抗变换整流电路。
5) nonlinear slope reactance
非线性斜率阻抗
1.
In this paper, a new type of nonlinear slope reactance control method is presented, study the nonlinear slope reactance voltage regulator dynamic process, realize a full utilization of the reactive power in the regulate process, which is expecte
本文提出一种新型非线性斜率阻抗控制方法,研究非线性斜率阻抗电压调节动态过程,实现补偿过程中无功功率的充分利用,以加快系统调节速度。
6) No anti-resistence
非抗阻性
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条