1) isomorph-accumulation
同构堆积
2) close packed
密堆积结构
1.
Close packed and non-close packed photonic crystals of SiO2 microspheres were prepared with the help of modified vertical method,the thermal sintering technique and the etching technique.
利用改进的垂直沉积法、高温烧结技术和HF酸刻蚀技术,制备了SiO2微球密堆积结构和非密堆积结构的光子晶体;利用扫描电子显微镜(SEM),观察并比较了二者的结构特点。
4) microsphere aggregation
小球堆积结构
5) non-close packed
非密堆积结构
1.
Close packed and non-close packed photonic crystals of SiO2 microspheres were prepared with the help of modified vertical method,the thermal sintering technique and the etching technique.
利用改进的垂直沉积法、高温烧结技术和HF酸刻蚀技术,制备了SiO2微球密堆积结构和非密堆积结构的光子晶体;利用扫描电子显微镜(SEM),观察并比较了二者的结构特点。
2.
The plane-wave expansion method is used to calculate the band structure of close packed & non-close packed inverse opal three-dimentional photonic crystals.
MOCVD法实验制备了反欧泊密堆积结构InP三维光子晶体,平面波法计算分析发现对于2003年Yethiraj和Van B laaderen提出的非密堆积结构,利用此方法制备的非密堆积结构反欧泊InP三维光子晶体,只要填充率达到44%以上即可出现完全光子带隙。
6) igneous cumulate texture
火成堆积结构
补充资料：Frobenius自同构
Frobenius自同构
Frobenius automorphism
E旧映如.自同构〔Fro饭址璐a此加叼和即;中p川免“叮caa盯oMo，中。3MJ C司015群中的一个特殊形式的元素.它在类域论中起关键作用.设L是有限域K的代数扩张，则Fro-比苗璐自同构叭j;定义为甲别认a)二丫，其中a‘L，、二}月(K的元素个数).当L/K为有限扩张时，汽/K生成G司。is群C饱I(L/K).当L/K为无限扩张时，叭/K是G目(L/幻的拓扑生成元.若L〕EOK且IE:KJ<叭则汽厂:二叫众‘，. 设k为具有有限剩余类域工的局部域，K是k的非分歧扩张，则剩余类域扩张的助伙泊i、自同构牧，河以唯一地提升为自同构叭，‘C佃(K/k)，，称为非分尽犷攀K/k单Fro恢而比自回汐·设}习一q，吸为K的整数环，p为叹的极大理想，则Fro灰川uS自同构伞叼*由下述条件唯一决定:对任一a‘叹有甄k(a)兰丫(modp).设K/k为局部域的任一Galo地扩张，任一自同构，任G司(K/k)若在K的最大非分歧子扩张上诱导出上述意义下的Froh泊i诏自同构，有时也称为K/k的Frobenius自同构. 设K/k为整体域的Ga】015扩张，p是k的素理想，平是K中在p之上的某一素理想.又设平在K中不分歧，蜘〔Gal(凡/气)是局部域非分歧扩张凡火的Fm-饮泪i璐自同构·如果将6司。is群Gal喝/气)与平在C透1(K/k)中的分解子群等同，则价可看作〔润(K/k)中的元素，这个元素称为对应素理想平的Fro沃浦出自同构.若K八为有限扩张，由取励Tape。密度定理(Che-加扭此v血砒ity小印n沈n)可知，对任一自同构。‘C恤l(K/k)，存在无限个在K/k中不分歧的素理想瑕使。二，，.对任一A比l扩张，蜘仅依赖于p，这时价砰己为(p，K/k)，称为素理想p的Artin符号(Anins卿比l).
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参考词条