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1)  silicon atom vacancy
Si原子缺位
2)  Namo crystallites
Ti/Si原子比
3)  Si-Ge intermixing
Si-Ge原子互扩散
4)  atom defect
原子缺陷
1.
N d is related to bulk atom defects and rests with ionized intrinsic and extrinsic shallow donors Zn ′ i,Zn ″ i, Al * Zn at room temperature.
Nd与体内原子缺陷有关 ,室温下主要取决于电离的浅能级本征和非本征施主Zn·i,Zn¨i和Al·Zn,Ns和Es与界面原子缺陷密度和性质有关 。
5)  ionic vacancy
离子缺位
6)  lacked electron atom
缺电子原子
补充资料：电热原子化原子吸收光谱法
分子式：
CAS号：

性质：又称高温炉原子吸收光谱法。利用低压大电流将石墨管、石墨棒、金属丝或金属舟加热到2000～3000℃，使置于其上的试样蒸发并转化为基态原子。由于其对特征辐射吸收，测量待测元素原子吸收信号，从而求出试样中待测元素的含量。

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