1) High Q
高Q值
1.
A concave shape micromachined variable capacitor was presented which has high Q and wide tuning ranges.
提出了一种高Q值、宽调节范围的凹型结构微机械可变电容。
2) High-frequency &high Q-value
高频高Q值
3) high Q-value load
高 Q 值负载
1.
The main circuit and operating principle of high Q-value load resonant power supply was introduced.
介绍了一种高 Q 值负载共振电源的主电路结构和工作原理,它具有共振系统的 Q 值越高输出功率越大的异常特性,突破了传统的 Q 值概念的束缚。
5) High-Q silica microcavity
高Q值SiO_2微腔
6) quality factor
Q值
1.
A method for improving quality factor (Q) of integrated inductor on silicon;
一种提高硅集成电感Q值的方法
2.
The current injection is a daunting problem in designing and fabricating electrically driven single-cell photonic crystal microcavity laser,and the current path often decreases the quality factor of the microcavity.
设计和制作电激励光子晶体微腔激光器的一个困难是电流的注入问题,而且电流的路径时常会导致微腔的Q值降低。
3.
Comparing the structure characteristis of MEMS variable capacitors,the prospection and the conclusion are discussed by updated quality factors(Q) and tuning range.
介绍了微机电系统(MEMS)技术以及MEMS可变电容器,基于MEMS的可变电容具有高Q值、低损耗、宽调节范围和低噪声等优点,阐述了MEMS可变电容器设计的基本原理,列举了现有的几种典型结构模型。
补充资料：高阈值逻辑电路
由二极管-晶体管逻辑电路 (DTL)和改进型二极管-晶体管逻辑电路(M－DTL)改进而来的一种高阈值双极型中、低速数字集成电路，简称HTL电路。HTL电路具有很好的抗干扰性能。图中表示从DTL电路到HTL电路的改进过程。
HTL电路的主要特点，是用齐纳二极管(D2)代替DTL、M-DTL电路中原来的电平位移二极管(Df)并将D2反接。齐纳二极管的制造工艺与常规双极型集成电路制备工艺相同，所以齐纳二极管可在双极型集成电路制造过程中形成。通常，利用晶体管基极与集电极短路的eb结，即发射区和基区间的 P+N+结制成。齐纳二极管的反向击穿电压一般约为6.7伏，要使其通导，必须有约6.7伏的电压降。因此,它使HTL电路的阈值电压提高到约为6.7+0.7=7.4伏,比一般DTL电路的阈值电压约高6伏。正是利用齐纳二极管的反向特性，使电路的输入低电平的噪声容限，从原来的1伏提高到约6伏;而输入高电平的级声容限,取决于电源电压的高低。如采用12伏电源,只能获得约3伏的输入高电平的噪声容限。因此，输入高、低电平的抗噪声能力是不对称的。为了获得对称的输入高、低电平的抗噪声能力，一般采用15伏电源，从而使电路的输入高、低电平的噪声容限均达到6伏左右,可显著提高电路的抗干扰能力。HTL电路适用于对速度要求不高,而对抗干扰能力要求很高的电子系统，如数控机床、工业控制机、循回检测装置、数字化仪表等电子设备。它能使这些设备在恶劣的干扰环境中正常工作而又不必采取过多的附加措施。
为了限制 HTL电路的功耗随电源电压的提高而增大，常采用高阻值电阻进行限流。高阻值的电阻在版图设计中占用较大的面积，从而限制了集成度的进一步提高。因此，HTL电路只适用于中、小规模集成电路。
HTL电路的主要特点，是用齐纳二极管(D2)代替DTL、M-DTL电路中原来的电平位移二极管(Df)并将D2反接。齐纳二极管的制造工艺与常规双极型集成电路制备工艺相同，所以齐纳二极管可在双极型集成电路制造过程中形成。通常，利用晶体管基极与集电极短路的eb结，即发射区和基区间的 P+N+结制成。齐纳二极管的反向击穿电压一般约为6.7伏，要使其通导，必须有约6.7伏的电压降。因此,它使HTL电路的阈值电压提高到约为6.7+0.7=7.4伏,比一般DTL电路的阈值电压约高6伏。正是利用齐纳二极管的反向特性，使电路的输入低电平的噪声容限，从原来的1伏提高到约6伏;而输入高电平的级声容限,取决于电源电压的高低。如采用12伏电源,只能获得约3伏的输入高电平的噪声容限。因此，输入高、低电平的抗噪声能力是不对称的。为了获得对称的输入高、低电平的抗噪声能力，一般采用15伏电源，从而使电路的输入高、低电平的噪声容限均达到6伏左右,可显著提高电路的抗干扰能力。HTL电路适用于对速度要求不高,而对抗干扰能力要求很高的电子系统，如数控机床、工业控制机、循回检测装置、数字化仪表等电子设备。它能使这些设备在恶劣的干扰环境中正常工作而又不必采取过多的附加措施。
为了限制 HTL电路的功耗随电源电压的提高而增大，常采用高阻值电阻进行限流。高阻值的电阻在版图设计中占用较大的面积，从而限制了集成度的进一步提高。因此，HTL电路只适用于中、小规模集成电路。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条