1) bittern silver crystal
卤化银晶体
2) silver halide crystal
卤化银晶体<复>
3) silver halide microcrystal
卤化银微晶
1.
The new preparation technology of silver halide microcrystals in high speed color negative film in recent years is reviewed, and the effect of the structure of silver halide microcrystals on their photographic properties is discussed.
本文叙述了近年来高速彩色负片采用的新的卤化银微晶制备技术,并就卤化银微晶的结构对感光性能的影响进行了分析。
4) silver halide microcrystals
卤化银微晶
1.
The action curves of free photoelectrons and shallow-trapped electrons in silver halide microcrystals were obtained by microwave absorption phase-sensitivity detection technique.
本文采用微波吸收相敏检测技术 ,得到了卤化银微晶的自由光电子与浅束缚光电子的产生与衰减曲线 ,对比光电子产生量与激发光强之间的关系 ,验证了Gurney Mott理论的光吸收过程 ,分析了不同类型卤化银材料中光电子的衰减特性 ,讨论了卤化银微晶中光电子行为对其感光性能的影响。
5) silver halide crystalline optical fiber
卤化银多晶光纤
6) Ammonium Halide Crystals
卤化铵晶体
1.
Study for Luminescence Energies of Self-Trapped Exaction(STE) and Absorption Energies of V_k-Center in Ammonium Halide Crystals;
卤化铵晶体STE辐射光谱和V_k心吸收光谱研究
补充资料：二碲化镓银晶体
分子式： AgGaTe2
CAS号：
性质：周期表第I，III，VI族元素化合物半导体。正方晶系黄铜矿型结构，共价键结合，有一定离子键成分。为复式晶格，晶格常数0.629nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.10eV，熔点720℃。采用布里奇曼法，区域熔炼和定向凝固法制备。
CAS号：
性质：周期表第I，III，VI族元素化合物半导体。正方晶系黄铜矿型结构，共价键结合，有一定离子键成分。为复式晶格，晶格常数0.629nm。为直接带隙半导体，室温禁带宽度1.10eV，熔点720℃。采用布里奇曼法，区域熔炼和定向凝固法制备。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条