1)  surge immunity
电涌抗扰度
1.
The definition and significance of voltage protection level of SPD, the impulse withstand of electri-cal and electronic equipments, including impulse insulation withstand and surge immunity were explained.
给出了电涌保护器(SPD)电压保护水平(Up)的定义和重要性,设备的冲击耐受水平的含义,包括绝缘冲击耐受电压和电涌抗扰度
2)  surge
电涌
1.
Research on anti-lightning strike and surge protection in factories;
工厂防雷及电涌保护措施研究
2.
Modern lightning protection system in enterprises and selection of surge protective device;
工业企业的现代防雷体系及电涌保护器选择
3)  surge protection
电涌保护
1.
The objects needing surge protection were determined first.
说明建筑物中电涌保护对象的确定,电源侧SPD布局和配置、配合的原则,典型布局方案。
2.
The need of surge protection for electrical and electronic systems within strucure is described from the development of modern lightning protection engingneering and the failure statistics.
从现代防雷工程的发展和雷害事故的统计说明建筑物内电气电子系统电涌保护的需要 ,然后阐明了现代防雷体系中电涌保护限制雷电电涌和操作电涌的作用。
4)  internal surge
内部电涌
5)  external surge
外部电涌
6)  surge protection
电涌防护
参考词条
补充资料:辐射电磁场抗扰性试验


辐射电磁场抗扰性试验
radiated electromagnetic field immunity test

  制,辐射电磁场推荐以下三个等级和一个未定级:①第一级:低等级辐射电磁场,试验场强为IV/m.棋拟距当地广播和电视台超过Ikm处所产生的辐射电磁场以及低功率收发机等设备产生的辐射电磁场.②第二级:中等级辐射电磁场,试验场强为3V/m.棋拟有可能相当接近被试设备但不小于lm的对讲机、手机等移动通信设备等产生的辐射电磁场。③第三级:严重的辐射电磁场,试验场强为10V/m。模拟极其命近被试设备的大功率收发机等设备所产生的辐射电磁场。④第X级(未定级):用于极其严重辐射电磁场环境的未定义级情况,其试验场强由用户和厂家共同协商或由厂家确定。 辐射电磁场抗扰性试验的试验结果应该按被试设备的运行条件和性能规范进行如下分类:①在技术规范限值内性能正常;②功能或性能暂时降低或丧失,但能自行恢复;③功能或性能暂时降低或丧失,但需操作者干预或系统复位;④因设备(元件)或软件损坏.或数据丢失而造成不能自行恢复至正常状态的功能降低或丧失。如果被试设备在整个试验期间显示出其抗扰性,并在试验结束后满足技术规范中的功能要求.则表明被试设备试验合格。下的工作性能,评价被试设备的辐射电磁场抗扰性。对于不同的试验空间,试验方法略有不同。 (1)在电磁波暗室内进行试验。一般在全电磁波暗室内进行(见电滋波暗室).首先将信号发生器和功率放大器按一定要求或标准产生的电磁波信号经屏蔽电缆传翰到电磁波暗室内的发射天线,用放置在距离发射天线lm、3m或10m处转台上端的场传感器按校正格点逐点检验试验场强,然后移走场传感器,并向放t在转台上的被试设备发射均匀电磁波,通过对转台和天线塔的控制,实现对被试设备在不同方位下的辐射电磁场抗扰性试验。 (2)在TEM室内进行试验。首先将TEM室与信号发生器和功率放大器连接,按一定要求或标准在TEM室内产生均匀横向电磁场,并按如下方法检验试验场强。当频率大于10 MH:时,用功率计测量TEM室人端的人射功率Pi。。(W)和反射功率Pr。,(W),TEM室内试验区域的场强为 :二半丫z。(尸.。。一尸r’,),v/m(z) 一b甲一“、一‘。C一r’l/”厂“.‘、“‘式中Z。为TEM室的特性阻抗,O;b为TEM室试验空间内外导体板之间的距离,m。当频率小于10 MH:时,可以用伏特计直接测量TEM室内外导体的电压VRF(V),TEM室内试验区域的场强为:一伞,v/m 0(3)然后将被试设备按一定的方位放置在TEM室的下部。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。