1) one-dimensional nonlinear consolidation
一维非线性固结
1.
Study on one-dimensional nonlinear consolidation of multi-layered soil using differential quadrature method;
用DQM求解成层地基一维非线性固结问题
2) one dimensional non-liner consolidation theory
一维固结非线性理论
4) nonlinear consolidation
非线性固结
1.
The buried depth of saturated clay layer has great influence on the initial effective stress distribution,and consequently on the characteristics of its nonlinear consolidation.
由于饱和黏土层的埋深对初始有效应力影响较大,因此也会对其非线性固结特性产生影响。
2.
A subsidence model with three dimensional groundwater flow coupled one dimensional nonlinear consolidation is established in the paper.
本文建立三维流动 -一维非线性固结地面沉降模型 ,在混合井流、降雨滞后补给、初始水头形成、人为边界刻画、水流 -固结耦合及软土层固结滞后于地下水开采层水头变化等方面有所改进。
3.
The recent advance in finite-deformation constitutive model and nonlinear consolidation theory of soils is reviewed in the paper.
有限变形问题愈来愈引起岩土界的重视,文中综述了当前国内外土体有限变形本构模型和非线性固结理论研究的现状和进展;对两种变形率加法分解和变形梯度乘法分解塑性理论作了较详细的介绍,并进行了简要分析和比较;评述了一种新的土体有限变形非线性固结理论—混合物理论,并提出了今后需要进一步研究的问题。
6) 1-D consolidation
一维固结
1.
Probability design of 1-D consolidation of soft clay foundation;
软黏土地基一维固结的概率设计
2.
Based on the theory of the Terzaghi 1-D consolidation theory,a numerical model of landfill settlement is established and the detached variable method is adopted to get the analytical solution in accordance with the character of the numerical model.
基于太沙基一维固结理论,建立了垃圾填埋场沉降过程的数学模型,并根据数学模型的特征,采用分离变量法求出改数学模型的解析解。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条