1) Power solid-state device
功率固态器件
2) solid power devices
固态功率器件
1.
The limited output power of solid power devices is the bottleneck of millimeter wave systems, which can be overcomed by an effective method: the power combination technique.
由于毫米波固态功率器件的输出功率有限,在单个功率器件输出功率受限的情况下,要提高其输出功率,采用功率合成技术是一种行之有效的解决问题的方法。
3) SSPC
固态功率控制器
1.
Design of Aircraft SSPC Based on DSP;
基于DSP的航空固态功率控制器的设计
2.
Design of Simulative AC-SSPC in Airplane Power System;
飞机配电系统中交流模拟固态功率控制器设计
3.
ELMC s primary task is to incept the information from the PSP through the bus and in the same time to monitor and control the second bus of the aircraft s electrical system and the Solid Status Power Controlers(SSPC),then to send all the information to the PSP.
电气负载管理中心是实现航空电气负载控制和管理自动化的重要组成部分,其主要任务是通过机载总线和供电系统处理机交换控制和状态信息,以实现对先进飞机二次配电中心的分布式电力汇流条和固态功率控制器的监测与控制;文章根据电气负载管理中心的功能需求与VxWorks的内在需求,在硬件上进行模块设计,在软件上划分了应用任务并分配了任务优先级,此系统可以大大提高飞机配电系统的可靠性和可维护性。
5) SSPA
固态功率放大器
1.
This paper discusses several kinds of linearization technique for Solid State Power Amplifier(SSPA), and compares between these techniques to get some useful conclusion.
本文讨论了固态功率放大器的典型线性化技术,通过比较这些线性化技术,得到一些有益的结论,对固态功率放大器的线性化工程设计具有非常实用的意义。
2.
This paper investigates the effects of intermodulation(IM) beams produced by the nonlinear behavior of solid-state power amplifiers(SSPA) on the DBF transmiting multiple-beam array.
研究了DBF发射多波束阵列中固态功率放大器(SSPA)非线性引起的互调波束的影响。
6) solid state power amplifier
固态功率放大器
1.
Considering LDMOS FET s high gain, high output power, low power loss and efficient heat dissipation, a S-band, 45W and 180W solid state power amplifier is designed.
基于LDMOS FET的高增益、高输出功率、低功耗和良好的散热特性,分别设计了S波段45W和180W固态功率放大器。
补充资料：固态电子器件
| 固态电子器件 solid state electronic device 利用固体内部电子运动原理制成的具有一定功能的电子器件。固体一般可分为绝缘体、半导体和导体3类。半导体的电学性能容易受各种环境因素如掺杂、光照等的控制，易于制成电子功能器件，因此绝大部分的固态电子器件是用半导体材料制成的，有时也称为半导体电子器件。半导体中可移动的带电粒子可为电子、空穴或离子。电子是带负电荷的粒子，空穴是带正电荷的准粒子，离子可带负或正电荷。离子导电的半导体在导电过程中伴有本身成分的化学变化，因而不宜作电子功能器件。电子导电的半导体简称N型半导体。空穴导电的半导体简称P型半导体。锗、硅半导体材料中掺入微量的磷、砷或锑就成为N型半导体；掺入微量的硼、镓或铝，就成为P型半导体。N型半导体和P型半导体连接起来就成为一个PN结。PN结是许多固态电子器件的基本单元结构。PN结具有整流特性，通电流时，一个方向的电阻很小，另一个方向的电阻很大。反向偏置时，PN结还可同一个电容器等效。 固态电子器件是20世纪40年代发展起来的。30年代固体电子论的进展和40～50年代锗、硅材料工艺的进展，奠定了后半个世纪固态电子器件飞速发展的基础。1947年W.H.布喇顿和J.巴丁发明的第一个固态放大器  点接触晶体管，是固态电子器件的发展过程中一个划时代的事件。固态电子器件种类繁多，应用十分广泛，从器件的结构来看，大致可分为两端器件（各种晶体二极管）和三端器件（各种晶体三极管）。此外还有一些特殊的器件，如晶闸管、电荷耦合器件、霍尔器件、温差致冷元件、波导器件以及传感器等。同真空电子器件相比，固态电子器件体积小、重量轻、功耗小、高可靠、易集成，可以实现电子系统的微型化，是现代集成电路的基础。除了用于大规模和超大规模集成电路，固态电子器件还广泛应用于其他各领域，如微波通信、红外探测、光纤通信、固体成像、能量转换等。固态电子器件所用的材料主要是半导体硅和砷化镓材料。随着固体新材料的不断出现和工艺技术的不断成熟，新型固态电子器件也在不断出现，如各种超导器件、非晶态半导体器件以及超晶格量子构器件等。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条