1) TiO_2 system
TiO2系
1.
New preparation methods,some kinds of new TiO_2 system oxygen-sensing thin films and its relative oxygen-sensing properties are discussed.
就TiO2薄膜型氧敏材料的制备新方法和几种新型TiO2系薄膜以及相应的氧敏性能等重要方面进行了探讨,并对今后的研究与发展方向提出几点建议。
2) TiO2/UV system
TiO2/UV体系
1.
Ten dyes with different structures were used to investigate the rules of photocatalytic oxidation degradation of dyes in TiO2/UV system.
在TiO2/UV体系中,以10种不同结构的染料作为研究对象,考察溶液的浓度、总有机碳(TOC)、pH值及NO2-、NO3-、SO42-、Cl-的浓度变化,探讨染料的光催化氧化降解规律。
3) ZnO-TiO2 system
ZnO-TiO2系
1.
Li2CO3-doped ZnO-TiO2 system microwave dielectric ceramics were prepared by traditional processing.
用传统工艺合成了Li2CO3掺杂的ZnO-TiO2系微波介质陶瓷,系统研究了其烧结行为、显微结构和介电性能。
4) BaO-Ln2O3-TiO2 system
BaO-Ln2O3-TiO2体系
5) TiO2-C-Al system
TiO2-C-Al体系
6) Ti-Al-TiO2 system
Ti-Al-TiO2体系
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条