1) Sputtering position
溅射方位
2) sputtering methods
溅射方法
1.
Effect of sputtering methods on the magnetic properties and microstructure of FePt∶Ag magnetic granular thin films;
溅射方法对FePt∶Ag颗粒膜磁性能及微观结构的影响
3) RF_sputtering
RF溅射方法
4) sputtering
[英]['spʌtə] [美]['spʌtɚ]
溅射
1.
XPS study of Ni_(49.54)Mn_(29.59)Ga_(20.87) magnetically driven shape memory alloy thin film fabricated by D.C magnetron sputtering technique;
直流磁控溅射Ni_(49.54)Mn_(29.59)Ga_(20.87)磁驱动记忆合金薄膜的XPS研究
2.
Growth and characterization of aluminum nitride films by penning-type discharge plasma sputtering process;
潘宁放电溅射沉积纳米级AlN薄膜的性质
3.
Growth of TiN Film by Modified Ion Beam Enhanced Magnetron Sputtering;
气离溅射离子镀制氮化钛
5) Sputtered
[英]['spʌtə] [美]['spʌtɚ]
溅射
1.
In order to improve appearance and hydrophobicity of waterproof and moisture permeable coatings, the yellowish of sputtered polymeric fluorocarbon films was investigated.
为改善射频溅射法制备的防水透湿涂层的外观和拒水性 ,对涤纶织物基底上的溅射氟碳高分子膜的泛黄问题进行了研究。
2.
By means of the Monte-Carlo simulation based on the binding collision approximation,this paper investigates the sputtering of Silver and Cadmium element targets bombarded by 27 keV Ar+ ions and studies the spatial distribution of sputtered atoms by collision cascade.
用蒙特卡罗方法模拟能量为２７ｋｅＶＡｒ＋轰击Ａｇ和Ｃｄ单元素靶的力学运动，以研究级联碰撞产生的溅射原子的空间分布情况，对计算结果进行适当的数学处理，以得出微分溅射产额角分布。
3.
The XRD patterns of SnO2 thin film sputtered with different methods are compare 1 for their difference in the field of structure.
本文采用三种不同的溅射方法制备具有纳米尺度的SnO2薄膜,针对溅射方式的不同,结合薄膜结构上的差异,对三种溅射方式制备的SnO2薄膜进行了XRD分析比较。
6) sputter
[英]['spʌtə(r)] [美]['spʌtɚ]
溅射
1.
Cu films sputtered with applied magnet under substrate and their microstructures;
基片下磁场中溅射镀铜薄膜及其微结构
2.
Zinc Oxide Thin Films Prepared Using Microwave ECR Plasma Sputtering Method;
微波电子回旋共振等离子体溅射法沉积ZnO薄膜
3.
Study of TiN Thin Film by Microwave ECR Plasma Reaction Sputtering Deposition;
微波ECR等离子体溅射沉积TiN薄膜的研究
补充资料：磁控溅射
分子式：
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
CAS号：
性质：用一个环形永久磁体在乎板形靶上产生环形磁场，在磁场作用下，电子被约束在一个环状空间内，形成高密度的等离子环。在等离子环内，电子不断地使Ar原子变成Ar离子，Ar离子被加速后打向靶表面，把靶内的原子溅射出来，沉积在基片上形成薄膜。若靶材为导体，溅射电源可用直流或射频电源，如靶材是绝缘体，则必须用射频电源。用多源共溅射加后处理法可制备双面薄膜。将基片放置在靶中心线上，称为正轴溅射，基片放在靶轴线外；称为偏轴溅射。磁控溅射是广泛采用的制膜方法。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条