1) dynamic channel tracing
动力沟道追踪
1.
Underground fluid flow prognosticating based on dynamic channel tracing;
基于动力沟道追踪的地下流体运移预测方法初步研究
2) dynamic ray tracing
动力学射线追踪
1.
The accuracy of this approximation is justified by comparing the numerical results with the method of reflectivity and dynamic ray tracing.
通过与反射率法及动力学射线追踪的对比,表明KH积分方法能很好地模拟远震转换波震相,且精度较高。
3) lane following
车道追踪
1.
Visual object-oriented application for lane following on intelligent highway system;
面向对象的智能公路车道追踪可视化控制软件研究(英文)
2.
In June 2001,the controller designed by authors finished the task of lane following on IHS testing course, and the testing result had reached/surpassed the requirement of NP17361 Lane Departure Warning System made by ISO/TC204 WGI4.
基于道路基础设施而实现的车道追踪控制技术是当今智能公路领域的核心研究内容之一。
4) tracking report
追踪报道
1.
The paper made beneficial exploration on how to plan and write tracking reports well, tracking report as a news method is an efficient way to carry out the public opinion and supervision.
本文就如何策划 ,进行追踪报道作了有益的探索 ,并认为追踪报道这一新闻手段是媒体开展舆论监督的一种有效途径。
5) automatic tracing
自动追踪
1.
In order to remove relative interference and improve the SNR of seismic data,this paper presents an automatic tracing SVD method to pre-stack removing heavy relative interference.
为了消除线性干扰波,提高资料信噪比,提出了利用自动追踪奇异值分解(SVD,singular value decomposition)方法,在叠前消除资料中的线性干扰波。
6) eye-track
主动追踪
1.
Research on the effect of gaze position on eye-tracking;
眼位对主动追踪效果的实验影响
补充资料：N沟道金属-氧化物-半导体集成电路
以 N沟道 MOS场效应晶体管为基本元件的集成电路，简称NMOS。NMOS电路于1972年才研制成功。NMOS电路发展的主要困难，是在普通的工艺条件下NMOS电路所用的衬底材料P型硅表面容易自然反型或接近反型,因而难以制成作为开关元件的增强型MOS晶体管,而且元件之间也不易隔离。NMOS电路工艺比PMOS电路（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路工艺复杂。一般情况下,NMOS电路采用性能良好的硅栅结构(见图)。衬底是轻掺杂的P型硅,栅的材料为多晶硅。一条多晶硅栅及其左右两个N型扩散区连同衬底组成一个N沟道 MOS晶体管。硅栅MOS结构中,铝线扩散线和多晶硅线均能作为内部联线，所以有三层布线。铝线同多晶硅线，铝线同扩散线可以交叉（如图左右两侧）。
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
NMOS工艺的特点是：①用硅栅结构实现栅同源、漏边界的自对准，以减小寄生电容；②用局部氧化方法使场区氧化层的底边下沉，既能保证为提高场阈电压所需的场氧化层的足够厚度，又能降低片子表面台阶的高度，防止铝层断裂；③用离子注入掺杂工艺可提高硅表面杂质浓度,精确控制MOS晶体管和寄生场晶体管的阈值电压。
硅栅NMOS电路也具有自隔离的特点。工作时,P型衬底连接最低电位，使所有PN结处于反偏或零偏。由于电子迁移率比空穴迁移率约大三倍，NMOS电路比PMOS电路速度快。NMOS电路为正电源供电，且N沟道MOS晶体管阈值电压较低，所以NMOS电路可与TTL电路（见晶体管-晶体管逻辑电路共同采用+5伏电源。相互间的输入、输出开关阈值可以彼此兼容，而不像PMOS电路需要特殊的接口电路。NMOS技术发展很快，其大规模集成电路的代表性产品是各种高速、低功耗、大容量的存储器和微处理器。
参考书目
Arthur B.Glaser, Gerald E.Subak－Sharpe,Integrated Circuit
Engineering Design,Fabrication and Applications，1st ed., Addison Wesley Pub.Co.,Reading, Massachusetts,1977.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条