1) galerkin direct method
Galerkin直接法
2) Gallium
Ga
1.
Density and Viscosity of Gallium Melt and Its Microstructure;
液态Ga的密度和黏度及其微观结构
2.
Gallium bearing ferrites with different gallium content were synthesized by oxidation of ferrous and gallium ions under alkaline condition and room temperature.
采用氧化-沉淀法在室温下合成了不同Ga含量的Ga取代磁铁矿,并对上述产物进行了IR,XRD,Mossbauer等谱学解析和磁滞回线的测量。
3.
The adsorption behavior of nanometer TiO_2 towards Gallium (Ga) Indium (In) and Thallium (Tl) was investigated with inductively coupled plasma atomic emission spectrometry (ICP-AES).
研究了纳米TiO2材料对Ga,In,Tl的吸附性能,考察了吸附动力学、最佳酸度、富集倍数和吸附容量,确定了待测金属离子的最佳吸附条件。
3) Ga
Ga
1.
Influences of Gallium on Microstructure and Mechanical Properties of Mg-x%Al-2%Ga Alloys;
Ga对铸态Mg-x%Al-2%Ga镁合金显微组织和力学性能的影响
2.
Preliminary Feasibility Study of Extracting Ga、Nb、Li and Sc from Bauxite Ore;
从铝土矿中提取Ga、Nb、Li、Sc的可行性初步研究
3.
Effects of Ga on electrochemical properties of Al-Zn-In sacrificial anodes;
Ga对Al-Zn-In合金牺牲阳极电化学性能影响
4) Ga-In-As
Ga-In-As
1.
THERMODYNAMICS OF Ga-In-As SYSTEM UNDER LATTICE DEFORMATION;
晶格形变情况下Ga－In－As体系热力学研究
5) GaAs
Ga As
1.
Interference of Electron in GaAs/AlGaAs Multiquantum Well Structure;
Ga As/Al Ga As多量子阱结构中的电子干涉
6) genetic algorithm & fuzzy C-means
GA-FCM
参考词条
Pt-Ga
~（67）Ga
GA-BP
富In（Ga）
e-GA
FP-GA
掺Ga
Ga-ZSM-5
~（71）Ga
L-GA
（67）~Ga
GA-Simplex
~（68）Ga
Ca2+-GA
Ga（In）NAs
呢坯粒结
补充资料：直接法
分子式：
CAS号：
性质：依靠单位结构因子UH或归格化结构因子EH模值数据组|UH|′s或|EH|′s间数学关系直接推引、扩展以导出结构因子位相的一类晶体结构解析方法。直接法最核心的物理基础是晶体电子密度(傅里叶)函数的非负性，即ρ≥0的基本性质，据此可建立与非负条件相关的不等式及结构因子三重积、负四重积等制约关系。1985年美国J·Karle与H·Hauptman因他们对直接法的贡献而获诺贝尔化学奖。
CAS号：
性质：依靠单位结构因子UH或归格化结构因子EH模值数据组|UH|′s或|EH|′s间数学关系直接推引、扩展以导出结构因子位相的一类晶体结构解析方法。直接法最核心的物理基础是晶体电子密度(傅里叶)函数的非负性，即ρ≥0的基本性质，据此可建立与非负条件相关的不等式及结构因子三重积、负四重积等制约关系。1985年美国J·Karle与H·Hauptman因他们对直接法的贡献而获诺贝尔化学奖。
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