1) boron-doped diamond
P型掺杂金刚石
1.
A super electric double-layer capacitor with boron-doped diamond electrode;
P型掺杂金刚石电极双电层电容器研究
2) p-type diamond
p型金刚石
1.
The progresses on preparation of ohmic contact of p-type diamond are reviewed.
简要综述了近年来p型金刚石制备欧姆接触的研究进展,结合器件的发展和实际工艺的要求,讨论了改善欧姆接触特性的途径和方法,指出目前存在急需解决的一些问题。
3) boron-doped diamond
硼掺杂金刚石
1.
The electrochemical oxidation of wastewater containing chlorophenols was investigated experimentally using synthetic boron-doped diamond(BDD) thin film electrodes.
以硼掺杂金刚石薄膜(BDD)为电极,采用电化学氧化的方法对含氯酚废水进行实验研究。
4) doped diamond thin films
掺杂金刚石薄膜
1.
Ce 3+ ion doped diamond thin films with two kinds of dosage are made.
制备了不同注入剂量的 Ce3 + 掺杂金刚石薄膜 ,研究了其光致发光特性 ,得到了发光主峰位于蓝紫区(42 1nm和 4 6 2 nm处 )的光发射 。
2.
Ce~(3+)ion doped diamond thin films were made by using chemical vapour deposition system and ion implant system.
利用微波等离子体化学气相沉积设备在高掺杂硅衬底上沉积一层金刚石薄膜,然后采用离子注入法在金刚石薄膜中注入不同剂量的从而制备出了 Ce~(3+)掺杂金刚石薄膜,研究了其电致发光特性,得到了发光主峰位于蓝紫区(476nm 和435nm 处)的光发射。
6) diamond co-doping
金刚石共掺杂
补充资料：金刚石型滑移面
分子式：
CAS号：
性质：金刚石滑移面对应的对称动作是一种含反映与平移(或滑移)的复合对称动作，其符号记作d。设滑移面d法线方向与晶轴a平行，则其对称操作为按面进行反映后继之以沿另两个晶轴的对角方向滑移()/4。同理在b或c方向的滑移面d，其滑移量相应为()/4或()/4。此型滑移面因在金刚石晶体结构中存在，故得名。
CAS号：
性质：金刚石滑移面对应的对称动作是一种含反映与平移(或滑移)的复合对称动作，其符号记作d。设滑移面d法线方向与晶轴a平行，则其对称操作为按面进行反映后继之以沿另两个晶轴的对角方向滑移()/4。同理在b或c方向的滑移面d，其滑移量相应为()/4或()/4。此型滑移面因在金刚石晶体结构中存在，故得名。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条