1) transition metal-silicon
过渡族金属硅化物
2) transition metal silicide
过渡金属硅化物
3) transition metal silicide Cr3Si
过渡金属硅化物Cr3Si
4) transitional metal carbide
过渡族金属碳化物
1.
Description is made of the typical structure of the Ti(C,N)-based cermet,focusing on the influence of the additives of transitional metal carbide,such as nano-crystal TiC/TiN,Mo2C,WC,TaC,NbC,VC,Cr3C2 on the microstructure and mechanical property of Ti(C,N)-based cermet.
简述了Ti(C,N)金属陶瓷的典型结构,着重介绍了过渡族金属碳化物添加剂(如纳米TiC/TiN、Mo2C、WC、TaC、NbC、VC、Cr3C2等)对Ti(C,N)金属陶瓷材料微观结构和力学性能的影响。
5) transition metal cluster chalcogenides
过渡金属簇硫族化合物
6) Transition-metal dichalcogenide
过渡金属硫族化合物
补充资料：金属硅化物
分子式：
CAS号：
性质：金属与硅生成的化合物。常分成两大类：(1)难熔金属硅化物，指周期表IVB、VB、VIB族元素的硅化物，如钛化硅、锆化硅、钽化硅、钨化硅等；(2)贵金属和近贵金属硅化物，如硅化钯、硅化铂、硅化钴等。其共同特点是：熔点高(大都在1500℃以上)，最低共熔温度高(大都在1000℃以上)。电阻率低(约为10-7Ω·m)，硬度高。多在超大规模集成电路中使用，如用作金属栅、肖特基接触、欧姆接触等。制备方法主要是用淀积金属与硅的混合物烧结而成。淀积法主要有：蒸发、溅射、电镀、化学气相淀积等。
CAS号：
性质：金属与硅生成的化合物。常分成两大类：(1)难熔金属硅化物，指周期表IVB、VB、VIB族元素的硅化物，如钛化硅、锆化硅、钽化硅、钨化硅等；(2)贵金属和近贵金属硅化物，如硅化钯、硅化铂、硅化钴等。其共同特点是：熔点高(大都在1500℃以上)，最低共熔温度高(大都在1000℃以上)。电阻率低(约为10-7Ω·m)，硬度高。多在超大规模集成电路中使用，如用作金属栅、肖特基接触、欧姆接触等。制备方法主要是用淀积金属与硅的混合物烧结而成。淀积法主要有：蒸发、溅射、电镀、化学气相淀积等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条