1) low-voltage ZnO varistor
低压ZnO压敏电阻
1.
The important additions of low-voltage ZnO varistor and the factors of Electrical Properties(breakdown voltage gradient, nonlinear coefficient and current leakage) are summarized.
概述了低压ZnO压敏电阻的重要添加剂的作用,阐述了其电性能“三参数”(压敏电压梯度、非线性系数和漏电流)的影响因素。
2) ZnO varistor
ZnO压敏电阻
1.
ZnO varistors of large current high ( and high voltage.;
大通流高电压高α值ZnO压敏电阻器
2.
Superposition sintering to control Bi_2O_3 vaporization in ZnO varistors
叠烧对ZnO压敏电阻中Bi_2O_3挥发的控制
3.
This paper presents a theoretical investigation on the coprecipitation coating doping by ammonia for preparing ZnO varistor ceramic powders.
对ZnO压敏电阻粉体共沉淀反应中的既能与NH3也能与OH-络合的金属离子(A类二价金属离子)进行了理论分析和模拟计算,得到了沉淀反应中沉淀系数、络合反应系数及pH值和氨水添加量之间的关系。
3) ZnO varistors
ZnO压敏电阻
1.
The voltage stabilization of high voltage gradient ZnO varistors;
高电位梯度ZnO压敏电阻的高压稳压性能研究
2.
ZnO varistors were prepared using microwave and conventional sintering processes.
采用微波和传统烧结工艺制备了ZnO压敏电阻,比较了微波和传统烧结ZnO压敏电阻的相组成、表面微观结构和电性能,探讨了烧结温度和保温时间对微波烧结样品的致密化和电性能的影响。
3.
With discussion on tunnelling effect of ZnO varistors, a new model is proposed, which can depict barriers stagger near the grains of ZnO varistors.
根据氧化锌压敏电阻的微观结构,提出了势垒交错导致共振隧穿的模型,并运用传递矩阵法合理地解释了ZnO压敏电阻的隧道效应,所得的隧穿电流符合实际 ZnO压敏电阻在击穿区的温度特性。
4) ZnO varistors
ZnO压敏电阻器
1.
Improving of the performance of ZnO varistors by aqueous phase additives.;
液相掺杂法可提高ZnO压敏电阻器的性能
2.
In order to improve the electrical properties of ZnO varistors,the powder of ZnO varistor was fabricated by blending and grinding of ZnO,Sb2O3 and composite nanometer additives prepared by sol-gel method.
将其与ZnO,Sb2O3混合,球磨后按传统工艺制备了ZnO压敏电阻器。
3.
In order to improve the performance of ZnO varistors,the powders of ZnO varistors were fabricated by blending and grinding of ZnO,SiO2 and composite nanometer additives prepared by Sol-Gel method.
为了提高ZnO压敏电阻器的性能,采用Sol-Gel法制备复合纳米添加剂。
5) ZnO varistor
Zno压敏电阻器
1.
Capacitance dispersion in ZnO varistors;
ZnO压敏电阻器中的电容弥散
2.
Study on the influence factor of the humidity resistance of ZnO varistor;
ZnO压敏电阻器耐潮湿性能影响因素的研究
3.
The composited nanometer additives of ZnO varistor were prepared by the Sol-Gel method through lots of experiments on the basis of analyzing the theory of the Sol-Gel method in this dissertation.
本论文在详细的分析溶胶—凝胶法原理的基础上,通过大量的实验,研究制定了制备ZnO压敏电阻器用复合纳米添加剂的合理的溶胶—凝胶工艺,并详细的描述并分析讨论了此过程中所出现的各种实验现象。
6) ZnO thin film varistors
ZnO薄膜压敏电阻
1.
Preparation of ZnO thin film varistors with sol-gel method;
sol-gel法制备ZnO薄膜压敏电阻
补充资料：压敏电阻器
具有非线性伏安特性并有抑制瞬态过电压作用的固态电压敏感元件。当端电压低于某一阈值时，压敏电阻器的电流几乎等于零；超过此阈值时，电流值随端电压的增大而急剧增加。压敏电阻器的非线性伏安特性是由压敏体（或称压敏结）电压降的变化而引起的，所以又称为非线性电阻器。表中列出常见的压敏电阻器的类别。
在电力工业中,常使用压敏材料制成避雷器阀片。反向特性的硒整流片和雪崩二极管等也具有压敏特性，但习惯上仍沿用各自的原名。
1929～1930年，美国和德国几乎同时用碳化硅压敏材料制成高压避雷器。40年代末，苏联制成低压碳化硅压敏电阻器。1968年日本研制出氧化锌压敏材料。这种材料具有比其他材料更为优异的电气性能，至今仍获得广泛应用。其他金属氧化物(Fe2O3、TiO等)压敏电阻器也得到发展。
压敏电阻器主要用于限制有害的大气过电压和操作过电压，能有效地保护系统或设备。用氧化锌压敏材料制成高压绝缘子,既有绝缘作用,又能实现瞬态过电压保护。此外，压敏电阻器在电子电路中可用于消火花、消噪音、稳压和函数变换等。
压敏电阻器的端电压超过某一阈值后，其伏安特性可用下式表示：
式中I为通过压敏电阻器的电流峰值，U为端电压峰值,C或A为材料常数,β为电流非线性指数,γ＝1/β为电压非线性指数。其他参数还有标称工作电压、压敏电压、漏电流、通流容量、单片承受能量和使用寿命等。
在电力工业中,常使用压敏材料制成避雷器阀片。反向特性的硒整流片和雪崩二极管等也具有压敏特性，但习惯上仍沿用各自的原名。
1929～1930年，美国和德国几乎同时用碳化硅压敏材料制成高压避雷器。40年代末，苏联制成低压碳化硅压敏电阻器。1968年日本研制出氧化锌压敏材料。这种材料具有比其他材料更为优异的电气性能，至今仍获得广泛应用。其他金属氧化物(Fe2O3、TiO等)压敏电阻器也得到发展。
压敏电阻器主要用于限制有害的大气过电压和操作过电压，能有效地保护系统或设备。用氧化锌压敏材料制成高压绝缘子,既有绝缘作用,又能实现瞬态过电压保护。此外，压敏电阻器在电子电路中可用于消火花、消噪音、稳压和函数变换等。
压敏电阻器的端电压超过某一阈值后，其伏安特性可用下式表示：
式中I为通过压敏电阻器的电流峰值，U为端电压峰值,C或A为材料常数,β为电流非线性指数,γ＝1/β为电压非线性指数。其他参数还有标称工作电压、压敏电压、漏电流、通流容量、单片承受能量和使用寿命等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条