1) Nonlinear perpendicular compensation
非线性正交补偿
2) non-linear compensation
非线性补偿
1.
The Multifunctional Intellectualized Data logging System that uses AT89C51 as the nucleus is introduced,the system structure of software and hardware,as well as the non-linear compensation method for the system to use linear interpolation combining with searching contrast table are given.
介绍了以AT89C5 1为核心的智能化多功能巡检仪 ,给出了此系统的软、硬件系统结构以及适合本系统要求的线性插值与对分查找相结合的非线性补偿方
2.
It implemented non-linear compensation and filter design etc.
本文提出了一种基于TMS320LF2407的电桥式电涡流传感器的设计,该传感器应用了非线性补偿、滤波器等技术,简化了结构并提高了传感器的性能,具有良好的稳定性及抗干扰能力。
3.
The proportion of different non-linear compensation were set by step control,so that up-and-down movement of earthquake simulation platform was coordinate.
在对地震模拟平台三向六液压缸系统的z轴上4个液压缸进行非线性分析的基础上,用不同的比例系数按分段控制方法进行非线性补偿,使地震平台上升和下降的运行速度保持一致;采用位移差和速度差组成的双闭环结构动态修正PID参数,实现了各轴的自适应同步控制;用零点补偿方法解决了液压系统的泄漏和液压缸的死区造成的稳态误差的问题;用补偿预估模块方便地实现了零点补偿值的自动调整。
3) nonlinearity compensation
非线性补偿
1.
Nonlinearity Compensation Circuits for Temperature Sensors;
温度传感器非线性补偿电路
2.
Temperature and nonlinearity compensation for in-situ concentration measurement of polluted gas with DOAS method
DOAS方法在线测量污染气体浓度的温度与非线性补偿
3.
A method to compensate nonlinearity of platinum resistor temperature sensor is presented using nonlinearity compensation model founded by RBFNN to aim at its nonlinear problem.
针对铂电阻温度传感器应用中存在的非线性问题,提出了应用径向基函数神经网络(RBFNN)强非线性逼近能力进行铂电阻温度传感器非线性补偿的方法。
4) non-linearity compensation
非线性补偿
1.
New approach to non-linearity compensation of thermistor temperature transducer based on RBF neural network;
基于RBF神经网络的热敏电阻温度传感器非线性补偿方法
2.
A method is presented to compensate non-linearity of thermistor temperature transducer using non-linearity compensation model founded by radial basis funcation (RBF) neural network that is trained by genetic algorithms to settle its non-linear problem.
针对热敏电阻温度传感器应用中存在的非线性问题,提出了应用遗传算法训练径向基函数(RBF)神经网络实现其非线性补偿的遗传神经网络方法,介绍了非线性补偿的原理和网络训练方法。
3.
A method used to the eddy current sensor non-linearity compensation is applied based on RBF neural network that is trained by genetic algorithms to settle its non-linear problem.
为了解决涡流传感器的非线性问题,应用遗传算法(GA)训练径向基函数(RBF)神经网络(NN)实现其非线性补偿。
5) nonlinear compensation
非线性补偿
1.
To lessen the influence on the matrix converter performance caused by actual commutation delay and on-state switching device voltage drop,based on the two-line voltage synthesis,the dead area effect of four-step commutation and the mechanism of on-state switching device voltage drop are analyzed quantitatively and a new nonlinear compensation method is proposed.
为减少矩阵变换器因换流的延时、开关管的导通压降对输入、输出性能的影响,基于双电压合成调制策略,对四步换流的死区效应、管压降形成的机理进行了定量分析,得出了一种非线性补偿方法。
2.
Methods of testing displacement power factor and nonlinear compensation of TCR using ANN were proposed and were used in SVC.
对采用基波无功功率因数检测方法和ANN非线性补偿的SVC控制系统的进行了访真,给出了仿真结果。
3.
The precision of the thermometer is very high because of applying sensor nonlinear compensation technique through software.
由于采用了传感器非线性补偿技术,提高了系统的测温精度。
6) orthogonal compensation
正交补偿
1.
Against the limitation that Contourlet transformation responds differently to diverse directional features,an orthogonal compensation method has been put forward to revise the flaw.
针对Cont-ourlet变换响应不同特征方向能力的差别,采用正交补偿法加以改正,经过傅里叶算子的处理,从而实现旋转不变结构性边缘特征的检索。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条