1) Nonlinear PI
非线性PI
1.
Research of Nonlinear PI Voltage Regulation for Doubly Salient Brushless DC Generator;
电励磁双凸极无刷直流发电机非线性PI调压技术的研究
2.
In this paper wefirst consider the nonlinear PI speed control of permanent magnet synchronous motor(PMSM).
非线性PI控制是一种新型的控制方法,它摒弃了传统自适应控制采用的参数辨识加反馈控制器设计的结构,将系统的动态表达成期望动态特性加扰动项的形式,在不知道非线性不确定函数具体形式的情况下,通过确定该函数的界来设计控制器的参数,使系统能够达到期望动态特性。
2) nonlinear PID/PI
非线性PID/PI
3) nonlinear PI controller
非线性PI控制器
1.
Parameter optimization and performance analysis of nonlinear PI controllers of thermal process;
热力过程非线性PI控制器参数优化和性能分析
2.
The parameter optimization and performance analysis of nonlinear PI controllers of thermal process are studied in this paper.
研究了热力过程非线性PI控制器的参数优化和性能分析问题。
4) Nonlinear PI control
非线性PI控制
1.
According to the configuration of two closed control loops based on vision-servo,the design of control system for soccer robot car based on DSP technology and nonlinear PI control is presented,which ensure the control accuracy and improve the real-time performance.
以集控式足球机器人为研究对象,以双闭环视觉伺服控制结构为主线,提出了基于DSP技术和非线性PI控制算法的机器人小车控制系统设计,保证了控制的准确性,提高了控制的实时性;论证了单参数模糊自校正非线性PI算法应用于机器人位置环控制中的可行性,增强了系统的自适应能力。
5) robust nonlinear proportional integral
鲁棒非线性PI
1.
A robust nonlinear proportional integral(RNPI) algorithm for active queue management is proposed to alleviate the time-delay and parameters time-varying problems in network.
针对网络存在较大时滞和网络参数动态变化等问题,提出了一种鲁棒非线性PI主动队列管理算法。
6) Nonlinear state PI control
非线性状态PI控制
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条