1) thermal resistance effect
热阻效应
1.
The buoyancy effect and thermal resistance effect of fire smoke in the fire tunnel were systematically analyzed.
研究火灾烟气状态对排烟风机性能的影响,系统分析了地铁隧道火灾烟气的烟囱效应和热阻效应,将地铁隧道系统和排烟风机作为一个整体考虑,分析隧道烟气温度和密度沿程变化规律,建立隧道火灾网络模拟的数学模型,提出在隧道火灾排烟网络模拟时应以质量流量替代体积流量和风机性能的修正方法,研究了隧道火灾烟气流动模拟的数值方法,综合分析地铁隧道火灾的热阻效应、烟囱效应及烟流状态对地铁排烟风机排烟能力的影响。
2) equivalent thermal resistance
等效热阻
1.
Two calculation methods of the equivalent thermal resistance of inhomogeneous building envelope are demonstrated from the differential connections of thermal resistances;it shows that the formula which is resulted from the parallel-series connection is more appropriate than that from the series-parallel connection for approximately calculation of the equivalent thermal resistance.
对非均质围护结构等效热阻的两种简化计算方法进行了回顾评述,从热阻等效原理证明了这两种简化算法是基于不同的热阻等效得到的,并串联的等效方法较串并联等效方法更适于非均质围护结构传热系数的简化计算。
2.
Adopting the thermal resistance network method, it builds medels of rectangular cell, sector cell, vent hole cell and tooth tip cell in the stator core, presents methods of calculating equivalent thermal resistance of each cell, and gives the thermal balance equations of every cell.
对定子铁心 ,根据节点单元等效热阻网络法的要求 ,建立了定子铁心中典型的矩形单元、扇形单元、通风孔单元和齿顶单元模型 ,给出了这些单元等效热阻的计算方法 ,建立了各单元热平衡方程组 。
3) effective thermal resistance
有效热阻
4) steric effect
位阻效应
1.
Taking advantage of the steric effect of nitrogen atoms in 2-methylpiperazine, selective monobenzoylate on the nitrogen atoms were investigated by five synthetic routes.
根据2-甲基哌嗪中N原子位阻效应的差异,研究了其选择性单酰化反应。
2.
Moreover,the steric effect and the regioselectivity in the synthetic process were also discussed.
本文先后经5步反应合成了新的荧光免疫试剂即标题化合物,并用NMR、IR、MS和EA表征了产物及部分中间体的结构,并对合成过程中的位阻效应及区域选择性进行了讨论。
5) piezoresistive effect
压阻效应
1.
Diameter-dependent piezoresistive effect of multi-walled carbon nanotube films;
管径相关的多壁碳纳米管膜的压阻效应
2.
The magnetoresistive and piezoresistive effect in diamond films;
金刚石膜的磁阻效应和压阻效应
3.
It is found that CFRP unidirectional laminates have piezoresistive effect.
结果表明:不同铺层方向CFRP单向层合板拉伸时体积电阻变化特性各不相同,该电阻变化特性比应力、应变能更多地反映有关材料内部结构变化的信息;CFRP单向层合板具有压阻效应,压阻效应随着应力的增加而增加,偏轴拉伸、横向拉伸时压阻效应比纵向拉伸时要大,且随铺层方向角的增大,压阻效应越来越明显。
6) resistivitytemperature effect
温阻效应
补充资料：半导体的压阻效应
指应力作用下半导体电阻率的变化。在一些半导体中有相当大的压阻效应，这与半导体的电子能带结构有关。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
压阻效应是各向异性的，要用压阻张量π(四阶张量)来描述,它与电阻率变量张量δ ρ(二价张量)和应力张量k(二阶张量)有如下关系:π:k。由于对称二阶张量只有六个独立分量, 故亦可表达成这样，压阻张量可用6×6个的分量来表达。根据晶体对称性，像锗、硅及绝大多数其他立方晶系的半导体，压阻张量只有三个不等于零的分量，即π11、π12和π44。
测量压阻效应，通常有两类简单加应力的方法：①流体静压强效应。这时不改变晶体对称性，并可加很大的压强。锗、硅的电阻率都随压强增大而变大。②切应力效应。利用单轴拉伸或压缩，这时会改变晶体对称性。压阻系数Δ ρ/ ρk，与外力方向、电流方向及晶体结构有关。对锗、硅，压阻系数如下表所示：
20世纪50年代起，压阻效应测量曾作为研究半导体能带结构和电子散射过程的一种实验手段，对阐明锗、硅等主要半导体的能带结构起过作用。锗和硅的导带底位置不同,故其压阻张量的分量大小情况也不同。N型锗的π44比π11、π12大得多,而N型硅的π11却比π12、π44大。这表明锗导带底在<111>方向上，硅导带底在<100>方向上。对于P型半导体,也有过一些工作。利用压阻测量和别的实验（例如回旋共振等）,取得一系列结果,对锗、硅等的能带结构的认识具体化了。
现在,半导体的压阻效应已经应用到工程技术中,采用集成电路工艺制造的硅压阻元件(或称压敏元件)，可把力信号转化为电信号，其体积小、精度高、反应快、便于传输。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条