1) nonlinear limiter
非线性限制器
2) nonlinear restriction
非线性限制
3) non-restrictive
非限制性
1.
Therapy in infants with non-restrictive ventricular septal defect with complications of pneumonia and respiratory failure;
并发肺炎和呼吸衰竭的非限制性室间隔缺损的治疗
2.
Attributive clause can be divided into 2 types:restrictive clause and non-restrictive clause,.
英语的定语从句有限制性和非限制性之分,在翻译的过程中应根据它的结构和含义采取灵活的译法。
3.
This paper is concerned with the restrictive and non-restrictive functions of Chinese adjectives as attributives.
本文主要考察汉语形容词作定语时体现出来的限制性和非限制性功能。
4) non-linear controller
非线性控制器
1.
This paper gives a X-Q non-linear controller and CAD method for the Multi—objective control systems.
给出了采用X—Q自适应控制器构成的一类非线性控制器以及实现多目标优化控制系统的计算机辅助设计参数寻优方法,讨论怎样应用X—Q自适应控制器实现多目标优化控制,并给出实现多目标优化材料试验机施力系统的实例,计算机仿真校验其性能指标的结果表明,多目标优化系统的性能指标好,设计方法简单、通用、适用于工程设计。
2.
An X-Q non-linear controller and CAD method for the Multi - objective control systems are presented in this paper.
为了实现多目标优化控制的性能,提出了采用X-Q自适应控制器构成的一类非线性控制器,以及实现多目标优化控制系统的计算机辅助设计参数寻优方法,讨论了怎样应用X-Q自适应控制器实现多目标优化控制,并给出实现多目标优化太阳光源跟踪伺服系统实例。
3.
This paper gives a X-Q non-linear controller and CAD method for the Multi-objective Control Systems.
给出了采用X -Q自适应控制器构成的一类非线性控制器以及实现多目标优化控制系统的计算机辅助设计参数寻优方法 ,讨论怎样应用X -Q自适应控制器实现多目标优化控制 ,并给出实现多目标优化机床工作台位置伺服系统的实例 ,计算机仿真校验其性能指标的结果表明 ,多目标优化系统的性能指标好 ,设计方法简单、通用、适用于工程设
5) nonlinear PI controller
非线性PI控制器
1.
Parameter optimization and performance analysis of nonlinear PI controllers of thermal process;
热力过程非线性PI控制器参数优化和性能分析
2.
The parameter optimization and performance analysis of nonlinear PI controllers of thermal process are studied in this paper.
研究了热力过程非线性PI控制器的参数优化和性能分析问题。
6) nonlinear controller
非线性控制器
1.
Robust nonlinear controller for PMLSM feed drives in grinding machines;
磨床PMLSM进给单元鲁棒非线性控制器研究
2.
Design and analysis of a nonlinear controller for unified chaotic systems;
统一混沌系统非线性控制器的设计与分析
3.
Design method for adaptable nonlinear controllers;
适应型非线性控制器的设计方法
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条