1) InGaAsP single-photon avalanche diode
InGaAsP单光子雪崩二极管
2) Single photon avalanche diode detector
单光子雪崩二极管
3) Single Photon Avalanche Diode
单光子雪崩=极管
4) silicon single photon avalanche diode
硅单光雪崩二极管
5) APD
雪崩光电二极管
1.
Implementation of Compensation for Bias Voltage of Thermo-drift for APDs by Using AC1056;
用AC1056实现对雪崩光电二极管温漂的偏压补偿
2.
In order to implement dynamic bias voltage compensation for the thermal drift of APD gain,high precision A/D and D/A circuits are designed.
为实现对雪崩光电二极管(APD)增益温漂的动态偏压补偿,设计了高精度的ADC和DAC电路系统,对APD可以达到毫伏级的偏压控制精度和0。
3.
This paper discusses a new kind of detecting system for bioluminescence which based on APD.
本文介绍了一种基于雪崩光电二极管的生物发光检测仪器新方案,并与传统的微光测量方案和器件进行了比较。
6) avalanche photodiode(APD)
雪崩光电二极管
1.
In order to ensure the optimum operating of the avalanche photodiode(APD) in the laser gyro under different temperature conditions,an effect of the temperature on the avalanche gain is analyzed based on the principle of APD multiplication.
为保证激光陀螺中雪崩光电二极管(APD)在温度变化的情况下始终处于最佳工作状态,从APD的倍增机理出发,分析了温度对雪崩增益的影响,建立了虚警率与APD倍增因子的数学模型,并采用监测雪崩噪声平均过阈率的方法,得到器件的实际击穿电压温度系数γ=6。
2.
The edge pre-breakdown of planar-type avalanche photodiode(APD) is resulted from the intense electric field at the junction bend.
平面型雪崩光电二极管(APD)在结弯曲处具有高的电场,导致在结边缘的提前击穿。
3.
According to the requirements and the characteristics of the single-photon detect System,a water-cooling system based on thermoelectricity cooling accompanied by a temperature control instrument was developed to reduce the temperature of the detector avalanche photodiode(APD).
根据单光子探测系统的要求及其特点,采用半导体制冷技术,研制出了用于单光子探测的雪崩光电二极管(APD)的水循环散热制冷腔。
补充资料：雪崩二极管
利用半导体结构中载流子的碰撞电离和渡越时间两种物理效应而产生负阻的固体微波器件。雪崩二极管振荡原理是W.T.里德于1958年提出的。1965年，R.L.约翰斯顿等人在硅PN结二极管中实现了这种雪崩微波振荡。
雪崩二极管能以多种模式产生振荡，其中主要有碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)模式，简称崩越模式。其基本工作原理是：利用半导体PN结中载流子的碰撞电离和渡越时间效应产生微波频率下的负阻，从而产生振荡。另一种重要的工作模式是俘获等离子体雪崩触发渡越时间(TRAPATT)模式,简称俘越模式。这种模式的工作过程是在电路中产生电压过激以触发器件，使二极管势垒区充满电子-空穴等离子体，造成器件内部电场突然降低,而等离子体在低场下逐渐漂移出势垒区。因此这种模式工作频率较低，但输出功率和效率则大得多。除上述两种主要工作模式以外，雪崩二极管还能以谐波模式、参量模式、静态模式以及热模式工作。
雪崩二极管的结构可分为两大类：单漂移区雪崩二极管和双漂移区雪崩二极管。单漂移区雪崩二极管的结构有PN、 PIN、 P+NN+(或N+PP+)、P+NIN+(或N+PIP+)、MNN+。其中P+NN+结构工艺简单,在适中的电流密度下能获得较大的负阻，且频带较宽，因此在工业中应用较多。双漂移区雪崩二极管是 1970 年以后出现的，其结构为P+PNN+，实质上相当于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联，从而有效地利用了电子和空穴漂移空间，因此输出功率和效率均较高。
制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。
雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，广泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。
雪崩二极管能以多种模式产生振荡，其中主要有碰撞雪崩渡越时间(IMPATT)模式，简称崩越模式。其基本工作原理是：利用半导体PN结中载流子的碰撞电离和渡越时间效应产生微波频率下的负阻，从而产生振荡。另一种重要的工作模式是俘获等离子体雪崩触发渡越时间(TRAPATT)模式,简称俘越模式。这种模式的工作过程是在电路中产生电压过激以触发器件，使二极管势垒区充满电子-空穴等离子体，造成器件内部电场突然降低,而等离子体在低场下逐渐漂移出势垒区。因此这种模式工作频率较低，但输出功率和效率则大得多。除上述两种主要工作模式以外，雪崩二极管还能以谐波模式、参量模式、静态模式以及热模式工作。
雪崩二极管的结构可分为两大类：单漂移区雪崩二极管和双漂移区雪崩二极管。单漂移区雪崩二极管的结构有PN、 PIN、 P+NN+(或N+PP+)、P+NIN+(或N+PIP+)、MNN+。其中P+NN+结构工艺简单,在适中的电流密度下能获得较大的负阻，且频带较宽，因此在工业中应用较多。双漂移区雪崩二极管是 1970 年以后出现的，其结构为P+PNN+，实质上相当于两个互补单漂移区雪崩二极管的串联，从而有效地利用了电子和空穴漂移空间，因此输出功率和效率均较高。
制造雪崩二极管的材料主要是硅和砷化镓。
雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。它是固体微波源，特别是毫米波发射源的主要功率器件，广泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。其主要缺点是噪声较大。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条