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1)  breakdown mechanism
击穿机理
1.
The research situation in breakdown mechanisms of TVS is analyzed.
总结了目前国内外高性能真空触发开关技术的进展及发展趋势;分析了真空触发开关在击穿机理方面的研究情况;比较了目前真空触发开关在大功率快速关合技术中的应用情况;介绍了真空触发开关的触发源技术的研究情况。
2.
The I-V characteristic, breakdown mechanism andvarious electrical properties of the thin film were analyzed.
分析了薄膜I-V特性、击穿机理与各项电学性能;探讨了膜的击穿电场等电学参数以及击穿电场随反应室气压、混合气体比例、衬底温度的变化关系;给出了击穿等电性优良的PECVD形成SiOxNy薄介质膜的优化工艺条件。
2)  mechanism of dielectric breakdown
介质击穿机理
3)  Mechanism of the atmosphere breakdown
大气击穿机理
4)  Electrical mechanical breakdown
电-机械击穿
5)  penetration mechanics
穿甲机理
1.
The penetration mechanics of steel targets with different tensile strength were analyzed.
分析不同抗拉强度钢板的穿甲机理。
2.
The penetration mechanics of oblique steel targets with different tensile strength were analyzed.
观察钢板以不同倾斜角度放置时出现的损伤形貌,评定了安全角,并测量背凸高度,弹坑长度和深度,分析不同抗拉强度钢板在倾斜入射时的穿甲机理。
6)  Penertration mechanics
穿孔机理
补充资料:pn结击穿(electricalbreakdownofp-njunction)
pn结击穿(electricalbreakdownofp-njunction)

对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时,反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。

击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的,如果立即降低反向电压,pn结的性能可以恢复;如果不立即降低电压,pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时,如没有良好散热条件,将使结的温度上升,反向电流进一步增大,如此反复循环,最后使pn结发生击穿。由于热不稳定性引起的击穿,称为热电击穿,此类击穿是永久破坏性的。pn结击穿是pn结的一个重要电学性质,击穿电压限制了pn结的工作电压,所以半导体器件对击穿电压都有一定的要求。但利用击穿现象可制造稳压二极管、雪崩二极管和隧道二极管等多种器件。

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