补充资料：集成电路继电保护装置

集成电路继电保护装置
integrated-circuit relay protection equip-ment

正、负电源引出端。有的运算放大器还有调零和连接消除自激的补偿电容的端子. 等效电路图1(a)是运算放大器的等效电路。U、所在输人端叫做反相拾人端.U，所在箱人端叫做同相输人端。输人阻抗是一个电阻网络，有差模(信号加在两输人端子之间)和共模(信号同时加在两翰人端子和┌─┐│ │└─┘ 图1运算放大器的等效电路和墓本电路(a)等效电路;(b)负反馈反相放大器;(c)负反债同相放大祥;(d)负反馈差动放大器.(e)加法界;(f)积分界;(g)徽分异;(h)移相器;(i)多反馈环形澳波器;(j)半波整流电路;(k)交流波一方波变换器，(l)反 相褚入继电触发界;(m)同相抢入继电触发器开环工作的差动放大器，用来比较两个直流信号的大小，抽出正或负饱和电压.如果待比较电压中的一个是固定的今考电压，比较器就成为一个电平检测器. 在电平检洲器电路中加人正反该，就成为具有继电特性的触发器.图1(l)和图1(m)是两种输出正信号的继电触发器。图1(1)，当e，E、时触发器翻转.两种电路的返回系数都小于1。 eMos门电路CMOS(。omplementary metaloxide semi一eonduetor)，愈为互补型金属氧化物半导体。运用半导体工艺将一个N一MoS三极管和一个P-MOS三极管做在同一衬底上如图2(a)，就是一个CMOS.图中的N一MOS管叫做驱动管，P一MOS管叫做负载管。当翰人为低电平时，N一MOS管截止P-MOS管导通，CMOS输出高电平;当输人为高电平时，N一MOS管导通P一MOS管截止，CMOS愉出低电平.当翰人为中间值时.两管都导通，输出电平由两管导通电阻的分压决定，一般是UDD的一半.如果输人信号只有O和1两个状态，则CMOS具有开关特性，而且是一个反相器.这两个电路中，第一个门作为开关.控侧电容的充电和放电，第二个门作为充电的电平检侧. 两个.的相位比较图3(a)是按方波重处原理工作的相位比较电路框图，图3(b)是波形图，由于使用了异或门，电路侧t的是方波不!亚时间.图3(b)中a、b是正弦一方波变换经整流后的物出信号，。为异或门3的翰出波形，当两翰人信号状态不同时翰出1信号，两翰人信号状态相同时输出零信号.c为l时，积分器4中电容开始充电，C为零时瞬时放电.图中表示两交流量的相角差甲足够大，4中电容充电超过动作值.d为积分器翰出，e为经展宽回路5展宽后获得的连续动作信号。在额定颇率为50H:的系统中，如规定积分器的动作时间为sms，则比相器的动作条件为2700)供)900.此电路在交流信号的一个周期内比相两次，故是全波比相。

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。