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1)  plasma nitridation
等离子体氮化
1.
MMT(modified magnetron typed)plasma nitridation and NO anneal are us ed to treat ultra-thin gate oxides in MOSFETs(metal-oxide-semiconductor fiel d effect transistors).
介绍了利用MMT等离子体氮化工艺和炉管NO退火氮化工艺制备的超薄栅介质膜的电学特性和可靠性。
2)  Plasma nitriding
等离子体氮化
3)  ammonia nitrid
NH_3等离子体氮化
4)  nitrogen plasma
氮等离子体
1.
A commercial coal-based activated carbon was modified by low temperature oxygen plasma(P-O_2) and nitrogen plasma(P-N_2),respectively.
利用低温氧、氮等离子体将商品活性炭进行表面改性,采用傅立叶变换红外光谱(FT IR)和电位滴定法分析、测定改性前后活性炭表面官能团的种类与数量。
2.
The flash pyrolysis of three low rank coals in a nitrogen plasma jet at atmospheric pressure has been studied.
结果发现,煤在氮等离子体条件下热解所得气体产物中的主要成分是氢、乙炔、一氧化碳和丙炔腈,此外还有甲烷和乙烯等小分子烃。
5)  plasma nitriding
等离子氮化
1.
Study of bacterial adhesion on titanium alloy surface modified by plasma nitriding;
钛合金等离子氮化表面的细菌粘附研究
6)  carbon nitride film/plasma source
氮化碳膜/等离子体源
补充资料:氮化硅纤维增强体(见氮化硅纤维)


氮化硅纤维增强体(见氮化硅纤维)
silicon nitride fibres reinforcements

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