1) Mechanical lithography
机械刻蚀
2) Nano-machanical lithography
纳米机械刻蚀
1.
Nano-machanical lithography technique based atomic force microscope(AFM) is the important part of the scanning probe lithography(SPL),which has made a great progress.
基于原子力显微镜AFM(atomic force microscope)的纳米机械刻蚀加工是扫描探针刻蚀加工技术(scanning probe lithography,SPL)的一个重要组成,目前已取得较大进展。
3) mechanical modification
机械划刻
1.
Two different techniques to fabricate nano scale reference materials are investigated in detail: AFM tip induced local surface oxidation on Si substrate and mechanical modification of Au film with an AFM tip.
提出了两种制备纳米结构样板的方法 :Si基底上的原子力显微镜 (AFM )探针诱导阳极氧化工艺和Au膜上的AFM探针机械划刻工艺 。
4) mechanical scratching
机械刻划
1.
To study novel methods for fabricating micro/nano and MEMS/NENS structure on the nanometer scale, based on AFM reconstructed system, mechanical scratching mechanism with an AFM tip, effects of positioning accuracy, AFM modes and tip geometry are investigated.
为了探索在纳米尺度加工微纳米结构,MEMS/NEMS器件的新的加工方法,采用基于AFM改造的微加工系统,研究了探针机械刻划机理,分析了工作台的定位精度,AFM的工作模式,探针形状等因素的影响。
5) mechanical grooving
机械刻槽
1.
This paper describes the experiment and the results of the buried contact silicon solar cells with mechanical grooving.
报道了机械刻槽埋栅高效硅太阳电池的实验研究结果。
6) mechanical stipple
机械点刻
补充资料：电化学刻蚀
分子式：
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
CAS号：
性质：也称电解浸蚀。在一定的电解液中，采用电化学原理选择性地除去某种金属(或半导体)的过程。可外加电压(为电刷镀的逆过程)或不外加电压(化学刻蚀)。影响电化学蚀刻的因素有电场强度和频率、探测器厚度、蚀刻液浓度和径迹倾角等。化学刻蚀法使用较多，例如在印刷电路板的制作中，通过如下反应：Cu→Cu2++2e-(阳极) ；2Fe3++2e-→2Fe2+(阴极)。按预作保护的图样除去绝缘基板上的铜覆盖层。在微电子装置的制作中，对半导体(如硅)选择性地刻蚀是关键步骤。常用的刻蚀剂有CuCl2，FeCl3，H2CrO4，NH4Cl，H2O2-H2SO4等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条