1) magnetic hysteresis scaling behavior
磁滞标度律
2) scaling hysteresis
磁滞标度
3) hysteresis width
磁滞宽度
1.
The threshold voltage and the hysteresis width formulas of the Schmitt trigger are introduced.
提出了一种新型的高速度全摆幅CMOS施密特触发器,其结构非常简单,只用了10个MOS管,其中包括两个开关管和两个反向器;通过分析计算给出了新型施密特触发器的阈值电平和磁滞宽度及传输延迟的计算方法,并且此施密特触发器具有磁滞宽度比较容易控制、转换速度快的特点;该电路采用0。
4) hysteretic scaling
滞后标度
1.
We have studied in this paper,by performing the Monte Carlo numerical simulation,both the hysteretic scaling and the dynamical phase transition of a three dimensional,(3D) classical X Y model driven by an sinusoidally oscillating external magnetic field.
采用MonteCarlo方法对 3DX Y模型进行数值模拟计算 ,研究了在非线性外场驱动下 3DX Y模型的滞后标度和动态相变 。
5) Scaling law
标度律
1.
Analysing both structure and hydrocarbon state of reservoir by using fractal scaling law;
应用分形标度律研究储层结构及含油气性
2.
An experimental study on turbulent scaling law;
湍流标度律的实验测量(英文)
3.
Experimental research of scaling law in a turbulent boundary layer over heated wall;
壁面加热湍流标度律的实验研究
6) Scaling laws
标度律
1.
Scaling laws of earthquake live loss rates and its application to prediction in China s continent;
中国大陆地震死亡率的标度律及其在预测中的应用
2.
From reference [29] if the equations with the property of scaling laws, thesolutions of those equations can be related by a simple rescaling, thus saving muchcomputational effort.
由文献[29] 得知若方程满足标度律,则方程的解支可以由标度变换相互联系,进而可以简化解的计算,因此本文主要用标度律来研究对称性分岔问题。
补充资料：磁标势
为简化磁场的计算，在一定条件下，引入的一个辅助物理量。
如果稳恒磁场的某个局部区域V中没有传导电流,且其中任何封闭曲线L都不能包围传导电流,以H表示区域内各点的磁场强度，ds表示面积元，即有 (1)
类似于静电场中引入电位的方法，可引入磁标势嗞m，H＝－墷嗞m。 (2)
取V中某点Po作为基准点,定义任一点P的磁标势嗞m(P)如下 (3)
式(2)中嗞m(Po)为任一常数，H的单位是安/米，嗞m的单位是安。
稳恒电流大都是在细长导线的回路中流动的。磁场则大都在没有传导电流的空间中。为了使 V中的任一封闭曲线满足式(1),可限定以电流回路为边缘的任意形状的一个曲面为不可穿越的壁障。图1、图2分别示出了长直电流和圆形电流所假想的壁障。其中长直电流的壁障是包含电流且向左延伸的无穷大平面,图1中的1与2是壁障二侧无限靠近的二点。应用安培环路定理求H的环量时,如取途径1M231不包围电流,可使式(1)满足。当取由1经M至2的途径对H积分时， 值等于长直电流的电流强度I。由式(3)得 (4)
由此得到一个普适的结论:壁障是磁标势有I突变的突变面。
容易计算出长直电流的磁标势分布。若取点1为零势，则
。
其标势只是θ的函数。θ相同的各点标势相同，构成等磁势面，且磁力张（H线）与其处处正交，如图3所示。任何磁力线总与等磁势面正交，这可由式(3)直接得出。
对于线电流回路的磁场利用磁标势法来计算是方便的。可以证明任意载流回路在空间任一点 P的磁标势为 (5)
式中I是回路中的电流,Ω是回路在P点所张的立体角,从P点看电流逆时针方向时,立体角为正。如果计算出立体角Ω，再根据式(2)即得H。
在讨论磁介质磁化或铁磁体的磁场时，因所讨论磁场范围内没有传导电流，故可用磁标势法来处理。
由磁场的高斯定理和H的定义可得H的高斯定理 (6)
其中 (7)
与静电场的高斯定理相似。这样,磁场强度H与电场强度E具有形式相同的规律，且H与E,嗞m与嗞，μo与εo,μoM与P有对应关系。据此可直接由静电势方程写出对应的磁标势方程 (8)
其中 (9)
两种磁介质分界面上满足的边界条件为 (10)
(11)
对铁磁体的磁场，若已知M，则问题归结为在给定边界条件下求解磁标势的泊松方程。对于分区均匀的各向同性线性媒质，问题归结为在给定边界条件下解磁标势的拉普拉斯方程。
如果稳恒磁场的某个局部区域V中没有传导电流,且其中任何封闭曲线L都不能包围传导电流,以H表示区域内各点的磁场强度，ds表示面积元，即有 (1)
类似于静电场中引入电位的方法，可引入磁标势嗞m，H＝－墷嗞m。 (2)
取V中某点Po作为基准点,定义任一点P的磁标势嗞m(P)如下 (3)
式(2)中嗞m(Po)为任一常数，H的单位是安/米，嗞m的单位是安。
稳恒电流大都是在细长导线的回路中流动的。磁场则大都在没有传导电流的空间中。为了使 V中的任一封闭曲线满足式(1),可限定以电流回路为边缘的任意形状的一个曲面为不可穿越的壁障。图1、图2分别示出了长直电流和圆形电流所假想的壁障。其中长直电流的壁障是包含电流且向左延伸的无穷大平面,图1中的1与2是壁障二侧无限靠近的二点。应用安培环路定理求H的环量时,如取途径1M231不包围电流,可使式(1)满足。当取由1经M至2的途径对H积分时， 值等于长直电流的电流强度I。由式(3)得 (4)
由此得到一个普适的结论:壁障是磁标势有I突变的突变面。
容易计算出长直电流的磁标势分布。若取点1为零势，则
。
其标势只是θ的函数。θ相同的各点标势相同，构成等磁势面，且磁力张（H线）与其处处正交，如图3所示。任何磁力线总与等磁势面正交，这可由式(3)直接得出。
对于线电流回路的磁场利用磁标势法来计算是方便的。可以证明任意载流回路在空间任一点 P的磁标势为 (5)
式中I是回路中的电流,Ω是回路在P点所张的立体角,从P点看电流逆时针方向时,立体角为正。如果计算出立体角Ω，再根据式(2)即得H。
在讨论磁介质磁化或铁磁体的磁场时，因所讨论磁场范围内没有传导电流，故可用磁标势法来处理。
由磁场的高斯定理和H的定义可得H的高斯定理 (6)
其中 (7)
与静电场的高斯定理相似。这样,磁场强度H与电场强度E具有形式相同的规律，且H与E,嗞m与嗞，μo与εo,μoM与P有对应关系。据此可直接由静电势方程写出对应的磁标势方程 (8)
其中 (9)
两种磁介质分界面上满足的边界条件为 (10)
(11)
对铁磁体的磁场，若已知M，则问题归结为在给定边界条件下求解磁标势的泊松方程。对于分区均匀的各向同性线性媒质，问题归结为在给定边界条件下解磁标势的拉普拉斯方程。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条