1) liquid encapsulant czochralski growth
液封提拉法
1.
A set of numerical calculation for momentum, heat transfer for a 3 inch diameter liquid encapsulant czochralski growth of single-crystal InP with an axial magnetic field is conducted by using the finite-element method.
用有限元法对轴向磁场存在下3英寸磷化铟单晶液封提拉法生长中的传热和流动进行了求解。
2) liquid seal
液封
1.
The artrcle introduces a method of solving axial seal by the reactant of liquid phase to form the liquid sea
本文介绍对于反应釜或设备内有液相介质存在时，利用其相介质形成一种液封方式，来解决搅拌轴的密封问题。
3) liquid sealing
液封
1.
The role of liquid sealing in chemical industry is expounded.
论述液封在化工生产中的作用。
2.
Some problems are usually neglected in housing design such as indoor hot water supply and pipeline installation,liquid sealing of drainage system and reclaimed water utilization;Professionals should pay attentions to them.
住宅中室内热水供应及管道安装、排水系统的液封及中水利用是设计中易被忽视的问题,应引起专业人士重视。
4) liquid encapsulation
液封
1.
This paper establishes the physical and mathematical model of thermocapillary convection in molten liquid with liquid encapsulation.
建立了具有液封熔体的热毛细对流的物理模型和数学模型,采用原始变量法对微重力条件下具有液封的熔 体内热毛细对流进行了数值模拟,得到了上、下层液柱主流区的温度场和流场,证实了液封能够削弱熔体内热毛细 对流,从而提高了浮区晶体生长质量,并得到液封的厚度和液封与熔体的动力粘性系数之比对熔体内热毛细对流的 影响规律。
5) pure water seal
纯水液封
6) height liquid seal
液封高度
参考词条
补充资料：液封直拉法单晶生长
液封直拉法单晶生长
liquid encapsulated czochralski crystal growth
yefeng zh}lafa donJ，ng shengzhang液封直拉法单晶生长(liquid eneapsulatedCzoehralski erystal growth)用液态覆盖剂封闭熔体控制挥发组分实现半导体晶体生长的一种方法，简称为LEC法。主要用于化合物半导体单晶生长。方法的实质是在普通直拉法增祸中的熔体表面上覆盖一液相层，以防止化合物半导体易挥发组分的损失(见图)。其单晶生长工艺过程与普通直拉法类似，但需要根据所生长材料离解压的大小，生长室内充以一定压力的惰性气体。单晶生长速度一般为5~12mm/h。LEC法于1962年首先由麦兹(E.P.A.Metz)用于PbTe和Pbse单晶生长。于1965年由马林(J.B.Mullin)应用于GaAs单晶生长。中国于1967年前后开始用于GaAS单晶的研制。该方法覆盖剂的选择必须具备以下条件:(1)在材料熔点温度下覆盖剂的蒸汽压可忽略不计，并为透明体。(2)其密度必须小于熔体的密度。(3)化合物及其组成元素必须是不溶解于覆盖剂。(4)覆盖剂必须是既不污染又不与材料有任何化学反应。就l一V族材料而言，B203是最为理想的覆盖剂。此外，早期的研究工作也有采用BaC12、BaCI:+KCI等为覆盖剂，但是熔点在800℃以下的材料，如Gasb(熔点为712℃)等则采用KCI十NaCI为覆盖剂。LEC法一般采用石墨加热器，因而生长室内惰性气体中含有一定微量碳的氧化物，必须控制BZO。中的水含量，以避免碳对所生长单晶材料的污染。所以BZO3在装料前根据不同材料的需要，需在真空度为10一3Pa、温度110℃下脱水12~24h，同时还可以除去BZO。中挥发性杂质。 LEC法的优点是可生长大直径圆柱状GaAs单!，、。。打中… 液封直拉法单晶生长示意图晶，并且易于晶片加工。如LEC法GaA、单晶生产水平为小76.2~150mm，工业生产均己实现等径控制。中国生产水平为小50mm。位错密度大都为1少数量级。LEC法还可用于GaP、InP，Gasb等单晶生长。 (刘锡田)
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