1) Li1.15-xNi0.33Co0.33Mn0.33O2+δ
Li1.15-xNi0.33Co0.33Mn0.33O2+δ
2) Li
Li
1.
EAM CALCULATION OF FORMATION ENTHALPIES OF Al,Li AND Mg(Ti) INTERMETALLIC COMPOUNDS;
Al-Li-Mg(Ti)合金形成焓的EAM研究
2.
Preparation of Eu,Li Co-doped ZnO Red Fluorescence Nanofibers by Electrospinning and Their Characterization;
电纺丝法制备纳米级Eu,Li共掺ZnO荧光材料
3.
Preparation of Nanometer Material ZnO:Eu,Li with Red Fluorescence by the Sol-Gel Method;
溶胶-凝胶法制备纳米级ZnO:Eu,Li红色荧光材料
3) Li~+
Li+
1.
SrZnO_2∶Eu~(3+),Li~++ phosphor powder by long wavelength UV excitation was synthesized by conventional solid-state reaction method.
采用高温固相法合成了一种长波紫外激发的SrZnO2∶Eu3+,Li+发光材料,用X射线衍射谱、荧光光谱对样品进行了表征。
4) Li+
Li+
1.
The crystal structures of α,β,γ and δ-MnO2 and their adsorption behaviors of Li++ were studied.
研究了α、β、γ和δ-MnO2的晶体结构以及对Li+的吸附行为。
2.
The Sr3B2O6∶Tb3+,Li++ green phosphor was synthesized by the general high temperature solid-state reaction and its luminescence properties were investigated.
用高温固相法合成了Sr3B2O6∶Tb3+,Li+绿色荧光粉,并研究粉体的发光性质。
5) Li +
Li+
1.
The results show that the optimum position of Li ++ ions intercalated into V 2O 5 layers is underneath (or above) the double-bond oxygen atoms and close to the central position.
结果表明 ,Li+引入V2 O5 层间的最佳位置是在双键氧之下 (或之上 ) ,且靠近层的中心位置 ,此时它与周围原子间的作用力非常微弱 ,并且材料的导电性增强 ,使夹层复合材料Li+注入 /脱出具有很好的可逆性和较好的光学性
6) Li~+
Li~+
1.
Enhanced Photoluminescense of Gd_2O_3:Sm~(3+) Nanocrystals by Li~++ Doping;
Li~+离子掺杂Gd_2O_3:Sm~(3+)纳米晶的发光增强
2.
Determination of Cations(Li~++,Na~+,K~+) in Water and Geological Samples by Low Pressure Ion Chromatography;
低压离子色谱法测定水样和地质样品中的Li~+、Na~+、K~+离子
参考词条
Li/SF_6
PAMPS-Li+
Li_xMn_2O_4
Li[Ni
(Li)VOPO4
Li源
Ge(Li)
Li…HF
Li…FH
Li…H2O
Li…NH3
CAPE(LI)
Li+靶
Li-MnO_2
LI-cadherin
甜菜夜蛾
侧倾射击
补充资料:Li-Mn rectangular loop ferrite
分子式:
CAS号:
性质:以锂、锰、铁的氧化物为主要成分的宽温矩磁铁氧体。化学式(Li2O·MnO)Fe2O3。密度4.8g/cm3左右。开关系数Sw0.7~1.7μs·Oe。居里温度Tc300~400℃。具有开关速度快、温度系数小和可在恶劣气候下工作的特点。但矫顽力较大(120~500A/m)。主要原料为氧化锂、氧化锰和氧化铁,添加少量改性氧化物(如氧化铋、氧化镧等),经电子陶瓷工艺处理而制得。用于制造高速度、大容量电子计算机存储器的记忆元件。
CAS号:
性质:以锂、锰、铁的氧化物为主要成分的宽温矩磁铁氧体。化学式(Li2O·MnO)Fe2O3。密度4.8g/cm3左右。开关系数Sw0.7~1.7μs·Oe。居里温度Tc300~400℃。具有开关速度快、温度系数小和可在恶劣气候下工作的特点。但矫顽力较大(120~500A/m)。主要原料为氧化锂、氧化锰和氧化铁,添加少量改性氧化物(如氧化铋、氧化镧等),经电子陶瓷工艺处理而制得。用于制造高速度、大容量电子计算机存储器的记忆元件。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。