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1)  uncooled pyroelectric infrared detectors
非制冷热释电红外探测器
2)  pyroelectric infrared detector
热释电红外线探测器
1.
Design of pyroelectric infrared detector based on PSPICE;
基于PSPICE的热释电红外线探测器设计
3)  pyroelectric thin film IR detector
热释电薄膜红外探测器
1.
Multilayer film that consists of porous silica layer integrated with silica buffer layer is used as thermal insulating structure for uncooled pyroelectric thin film IR detector.
采用由多孔 Si O2 薄膜和过渡 Si O2 薄膜组成的复合薄膜结构实现了非制冷热释电薄膜红外探测器的热绝缘 。
4)  pyroelectric infrared detectors
热释电红外探测器
5)  uncooled infrared detector
非制冷红外探测器
1.
The requirement for the optical imaging system of the uncooled infrared detector is about F/#=1.
针对非制冷红外探测器的光学成像系统F/#=1左右的要求,分别采用三片式、两片式折射物镜为初始结构,结合像差理论,设计出了三款f=50 mm,F/1,全视场角为10o,工作波段为8~12μm的红外物镜。
2.
New uncooled infrared detector based on the thermal isolation material a.
为了克服传统微桥结构室温红外探测器成品率低的不足,提出了一种新的热绝缘材料,并将该材料应用到了非制冷红外探测器中,实际制备了探测器单元,对该材料的热绝缘能力进行了验证。
3.
VO x films for uncooled infrared detectors with the TCR overmatch of -2% are successfully prepared.
介绍了一种采用反应溅射工艺 ,通过控制不同气氛的分布制备VOx 薄膜的方法 ,并制备出电阻温度系数 (TCR)优于 - 2 %的非制冷红外探测器用VOx 薄膜。
6)  uncooled infrared detectors
非制冷红外探测器
1.
So the films completely meet the demands of uncooled infrared detectors.
氧化钒薄膜由于其具有高电阻温度系数(TCR),近年来被广泛应用于非制冷红外探测器。
补充资料:热释电型探测器
      利用热释电材料的自发极化强度随温度而变化的效应制成的一种热敏型红外探测器。热释电材料是一种具有自发极化的电介质,它的自发极化强度随温度变化,可用热释电系数p来描述,p=dP/dT(P为极化强度,T为温度)。在恒定温度下,材料的自发极化被体内的电荷和表面吸附电荷所中和。如果把热释电材料做成表面垂直于极化方向的平行薄片,当红外辐射入射到薄片表面时,薄片因吸收辐射而发生温度变化,引起极化强度的变化。而中和电荷由于材料的电阻率高跟不上这一变化,其结果是薄片的两表面之间出现瞬态电压。若有外电阻跨接在两表面之间,电荷就通过外电路释放出来。电流的大小除与热释电系数成正比外,还与薄片的温度变化率成正比,可用来测量入射辐射的强弱。1938年就有人建议利用热释电效应制造红外探测器,直到1962年,J.库珀才对此效应作了详细分析,并制成红外探测器。热释电型红外探测器都是用硫酸三甘酞(TGS)和钽酸锂 (LiTaO3)等优质热释电材料(p的数量级为10-8C/K.cm2)的小薄片作为响应元,加上支架、管壳和窗口等构成。它在室温工作时,对波长没有选择性。但它与其他热敏型红外探测器的根本区别在于,后者利用响应元的温度升高值来测量红外辐射,响应时间取决于新的平衡温度的建立过程,时间比较长,不能测量快速变化的辐射信号。而热释电型探测器所利用的是温度变化率,因而能探测快速变化的辐射信号。这种探测器在室温工作时的探测率可达 D≈1~2×109厘米·赫/瓦。70年代中期以来,这种探测器在实验室的光谱测量中逐步取代温差电型探测器和气动型探测器。
  

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