1) nonlinear limiting state equation
非线性极限状态
2) non-limit state
非极限状态
1.
Computation of active earth pressure under non-limit state for retaining wall with mode of translation;
平动模式下挡土墙非极限状态主动土压力计算
2.
The relation between the internal and external frictional angle and the displacement of retaining wall was incorporated into modified horizontal layer analysis to solve active earth pressure under non-limit state with mode of rotation about base.
将填土内摩擦角和墙面外摩擦角与墙体绕墙底向外转动角度之间的关系植于改进了的传统水平层分析法中,用于求解挡土墙绕墙底转动模式非极限状态下的主动土压力。
3.
As for rigid retaining walls,the relationship between the friction angles at non-limit state and wall movement is developed.
针对刚性挡土墙,推导了非极限状态摩擦角与相对位移之间的关系式,分析了最不利情况下墙后土楔的受力情况,得到非极限状态主动土压力计算公式,较好地解释了平动位移模式下的主动土压力分布性状。
3) state nonlinear
状态非线性
1.
According to the principle of FEA,several kinds of overhead line clamp fittings under different load in electrification railway are analyzed by using of ANSYS program,and material nonlinear and state nonlinear are considered.
基于有限元基本原理,采用有限元分析软件ANSYS对广州地铁一号线电气化铁道接触网上几种不同类型不同荷载工况的抱箍类零部件进行了有限元分析,考虑了材料非线性、状态非线性。
5) plastic limit state
塑性极限状态
6) limit of resistance
耐久性极限状态
1.
This paper put forward the process of concrete structure design: to assort working environment;to make certain expectant life- span of use; to validate limit of resistance.
笔者提出在进行混凝土结构耐久性设计之前,首先要进行结构的工作环境分类,然后确定结构的设计使用寿命,最后利用极限状态对耐久性极限状态进行验算,科学地设计出既安全又适用,又耐久的混凝土结构,从而延长使用寿命,提高经济效益。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条