1) MOCVD-Ga_xIn_ 1-x As_yP_ 1-y /InP
MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y/InP
1.
The lattice vibrations of the MOCVD-Ga_xIn_ 1-x As_yP_ 1-y epilayers and MOCVD-Ga_xIn_ 1-x As_yP_ 1-y /InP Distributed Bragg reflectors(DBRs) are investigated by micro-Raman scattering techniques.
利用微区Raman散射技术研究了MOCVD-GaxIn1-xAsyP1-y/InPDBRs结构的晶格振动。
2) Ga x In 1-x As y Sb 1-y
GaxIn1-xAsySb1-y
3) InAs y P 1-y /InP quantum well
InAsyP1-y/InP量子阱
5) In x Ga 1-x As/InP
In0.63Ga0.37As/InP
6) MOCVD technology
MOCVD技术
补充资料：MOCVD
分子式：
CAS号：
性质：用金属有机化合物热分解进行气相外延生长的方法。其基本原理是将含有外延材料组分的金属有机化合物气体通过载气输送到反应室，在一定温度下进行外延生长。MOCVD技术主要应用于III-V族II-VI族化合物半导体超晶格量子阱等低维材料生长和多元固溶体的多层异质结构材料的生长，还可用于制备高温超导薄膜，铁电薄膜，传感器薄膜，太阳能电池薄膜及其他金属薄膜。该技术工艺可控，操作简便及适用于大规模生产等优点。其缺点是所用源材料为易燃剧毒物质。
CAS号：
性质：用金属有机化合物热分解进行气相外延生长的方法。其基本原理是将含有外延材料组分的金属有机化合物气体通过载气输送到反应室，在一定温度下进行外延生长。MOCVD技术主要应用于III-V族II-VI族化合物半导体超晶格量子阱等低维材料生长和多元固溶体的多层异质结构材料的生长，还可用于制备高温超导薄膜，铁电薄膜，传感器薄膜，太阳能电池薄膜及其他金属薄膜。该技术工艺可控，操作简便及适用于大规模生产等优点。其缺点是所用源材料为易燃剧毒物质。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条