2) ESD
静电保护
1.
SCR Devices in ESD Protection Circuits for CMOS IC s;
SCR器件在CMOS静电保护电路中的应用
2.
Introduce the function of I/O buffers of all CMOS sorts, design for circuits and layout design of I/O buffer with considering some kinds of effect, and take the ESD problem to be discussed.
文章详细介绍了基于CMOS的芯片I/O缓冲电路分类,功能,电路及版图设计的一些考虑以及芯片引脚的静电保护问题。
3) ESD protection
静电保护
1.
The on-chip ESD protection circuits are summarized.
文章对芯片防静电保护电路进行了总结,分析和讨论了几种数模混合电路防静电保护技术。
2.
The low voltage triggered silicon controlled rectifier (LVTSCR) in deep submicron IC is a very effective ESD protection device.
实验结果表明,LVTSCR结构的参数,如NMOS管沟道长度、P-N扩散区间距和栅极连接方式等,都对LVTSCR结构的静电保护性能有影响。
4) electrostatic discharge
静电保护
1.
GaN-based light-emitting diodes are sensitive to electrostatic discharge(ESD).
介绍了几种常用的GaN基大功率白光发光二极管(LED)静电保护的方法,分析了GaN基大功率白光LED静电损伤的机理,并在此基础上,提出了改善GaN基大功率白光LED的抗静电损伤的途径与方法。
6) electrostatic discharge protection
静电放电防护
1.
Application of data mining in electrostatic discharge protection;
数据挖掘在静电放电防护理论中的应用
补充资料：静电放电
分子式：
CAS号：
性质：静电放电形式与带电体的几何形状、电压和带电体的材质有关。静电放电形式。(1)电晕放电：是发生在带电体尖端或曲率半径很小处附近的局部放电。电晕放电可能伴有轻微的嘶嘶声和微弱的淡紫色光。电晕放电一般没有引燃危险。(2)刷形放电和传播型刷形放电:都是发生在绝缘体表面的有声光的多分支放电。当绝缘体背面紧贴有金属导体时，绝缘体正面将出现传播型刷形放电。同一绝缘体上可发生多次刷形放电或传播型刷形放电。刷形放电有一定的引燃危险；传播型刷形放电的引燃危险性大。(3)火花放电:是带电体之间发生的通道单一的放电。火花放电有明亮的闪光和有短促的爆裂声。其引燃危险性很大。(4)雷型放电：是悬浮在空间的大范围、高密度带电粒子形成的闪电状放电。其引燃危险性很大。
CAS号：
性质：静电放电形式与带电体的几何形状、电压和带电体的材质有关。静电放电形式。(1)电晕放电：是发生在带电体尖端或曲率半径很小处附近的局部放电。电晕放电可能伴有轻微的嘶嘶声和微弱的淡紫色光。电晕放电一般没有引燃危险。(2)刷形放电和传播型刷形放电:都是发生在绝缘体表面的有声光的多分支放电。当绝缘体背面紧贴有金属导体时，绝缘体正面将出现传播型刷形放电。同一绝缘体上可发生多次刷形放电或传播型刷形放电。刷形放电有一定的引燃危险；传播型刷形放电的引燃危险性大。(3)火花放电:是带电体之间发生的通道单一的放电。火花放电有明亮的闪光和有短促的爆裂声。其引燃危险性很大。(4)雷型放电：是悬浮在空间的大范围、高密度带电粒子形成的闪电状放电。其引燃危险性很大。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条