1) drag-reduction characteristics
减阻特性
1.
Concerning with the V,U and semicircular traveling wave,the drag-reduction characteristics of turbulent boundary layer are studied.
针对U型,V型,半圆型三种不同形状的随行波,对它们的湍流边界层减阻特性进行了研究。
2) viscosity drag reduction
粘性减阻
1.
The technology of magnetic fluid viscosity drag reduction is a new one.
磁性液体粘性减阻技术是一种新兴的技术。
2.
The mechanism and methods of viscosity drag reduction are briefly discussed.
本文综述了几种粘性减阻方法及其减阻的机理，联系了其在水相、油相中节约能源、材料，提高速度和效率等方面的应
3.
The principle on viscosity drag reduction or magnetic fluid is discussed.
论述了磁性液体粘性减阻技术的原理。
3) Decay properties
衰减特性
1.
The photoluminescence (PL) and photo-generated carriers decay properties of nano-SiC films have been studied.
不同衬底偏压下样品的光生载流子衰减特性分析表明,纳米SiC薄膜中光生载流子所经历纳秒级的快衰减过程关联于样品的辐射复合过程,该过程几率随衬底偏压增大而增加;在光生载流子慢衰减过程中,有两种缺陷形成的陷阱起主要作用,衬底偏压导致陷阱深度增加。
4) decrease characters
削减特性
5) infiltration reduction effect
减渗特性
1.
The law of bilateral interference infiltration and the infiltration reduction effect relative to free infiltration is analyzed according to the experimental data.
根据试验资料,分析了膜孔多向交汇入渗规律,研究了膜孔交汇入渗相对于膜孔自由入渗的减渗特性,建立了膜孔多向交汇入渗的三阶段入渗模型和减渗量模型,分析了膜孔交汇入渗参数随入渗阶段的变化规律,提出了膜孔交汇入渗减渗率的概念,并推导得到了膜孔多向交汇入渗减渗率的计算公式。
6) decay characteristic
衰减特性
1.
The equivalent time constants are derived from the decay characteristics of the induced current.
等效时间常数可以从感应电流自然衰减特性得到,电阻和电感则通过计算被动反馈线圈中涡流损耗和磁场能量中求得。
补充资料：正温度系数热敏陶瓷阻-温特性曲线
分子式：
CAS号：
性质：描述正温度系数热敏陶瓷电阻率与温度关系的曲线。钛酸钡基PTC热敏陶瓷阻-温特性曲线。电阻率随着温度的升高，先是降低，当达到某一值Tmin时，曲线出现极值，经过极值后电阻率随温度升高而急剧上升，此时对应的温度Tb称为开关温度。电阻率随温度上升达到最大值时所对应的温度为Tm。经过Tm后，阻温特性曲线发生弯曲，电阻率开始逐步降低，此时对应的温度为Tp。温度处于Tb至Tm之间时，热敏陶瓷呈现正温度系数(PTC)特性。其电阻温度系数αT= ，式中Rb，Rp为Tb，Tp温度下的相 应零功率电阻值。αT大于10％/℃，为开关型热敏陶瓷电阻器。αT小于10％/℃，为缓变型热敏陶瓷电阻器。
CAS号：
性质：描述正温度系数热敏陶瓷电阻率与温度关系的曲线。钛酸钡基PTC热敏陶瓷阻-温特性曲线。电阻率随着温度的升高，先是降低，当达到某一值Tmin时，曲线出现极值，经过极值后电阻率随温度升高而急剧上升，此时对应的温度Tb称为开关温度。电阻率随温度上升达到最大值时所对应的温度为Tm。经过Tm后，阻温特性曲线发生弯曲，电阻率开始逐步降低，此时对应的温度为Tp。温度处于Tb至Tm之间时，热敏陶瓷呈现正温度系数(PTC)特性。其电阻温度系数αT= ，式中Rb，Rp为Tb，Tp温度下的相 应零功率电阻值。αT大于10％/℃，为开关型热敏陶瓷电阻器。αT小于10％/℃，为缓变型热敏陶瓷电阻器。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条