1) superluminescent diode
超辐射发光管
1.
Facet antireflection coating of 1.55μm superluminescent diode;
1.55μm超辐射发光管端面减反射膜的研究
2.
In order to increase the optical output power of semiconductor superluminescent devices, a direct coupling method has been used to monolithically integrate the superluminescent diode (SLD) with a semiconductor optical amplifier (SOA).
为提高半导体超辐射器件的输出功率 ,采用直接耦合的方法 ,将超辐射发光管 (SL D)与半导体光放大器 (SOA)单片集成 ,制得了 1。
3.
WT5”BZ]:For the application of spectrum slicing,a direct coupling method had been used to integrate,monolithically,the superluminescent diode (SLD) with a semiconductor optical amplifier (SOA).
为适应光谱分割技术的需求 ,我们采用 In Ga As P/ In P单量子阱外延片 ,用直接耦合的方法将超辐射发光管与半导体光放大器单片集成 ,制得了 1。
2) super-luminescent diode
超辐射发光管
1.
Design and fabrication of AR film for super-luminescent diode facets;
超辐射发光管端面AR膜的设计与制备
2.
03% for the center-wavelength of 1310nm and the super-luminescent diode of ASE ripple<0.
5dB的超辐射发光管。
3) SLD
超辐射发光二极管
1.
CAA for 1.3μm InP/InGaAsP SLD with a Buried Bent Absorbing Guide Structure;
InP/InGaAsP 1.3μm弯曲波导吸收区超辐射发光二极管的计算机辅助分析
2.
This paper has introduced driving principle of SLD source.
分析了超辐射发光二极管(super lum inescent d iode,SLD)光源的驱动原理,给出了一种利用控制驱动电流和温度来稳定光源输出功率的驱动电路,并通过采集反馈电压来监控功率的输出。
3.
The 850 nm superluminescent diodes(SLDs) used for fiber optic gyro with moderate accuracy is designed and fabricated.
设计并制作了一种用于中低精度光纤陀螺系统的850nm超辐射发光二极管,对器件的波导模式进行了分析,给出了主要技术参数的设计和测试结果。
4) super luminescent diode
超辐射发光二极管
1.
The temperature performance and stability of quantum-well super luminescent diode(SLD) are better than those of normal SLD.
量子阱结构超辐射发光二极管(SLD)具有良好的温度特性和一致性。
5) superluminescent diode
超辐射发光二极管
1.
A novel fiber optic gyro and its key elements are presented, including: (1) the system configuration of circulating interferometric fiber optic gyro; (2) the high power superluminescent diode; (3) the integrated optical multifunctional transceiver.
介绍了一种新型光纤陀螺及其关键器件,包括:(1)循环干涉型光纤陀螺的系统方案;(2)大功率超辐射发光二极管;(3)多功能光学收发模块。
2.
The module consists of a superluminescent diode, a thermistor, a Peltier cooler and a PIN photo.
超辐射发光二极管(SLED)作为一种非相干性宽带光源,是光纤陀螺仪(FOG)和光纤传感器的理想光源,也是光时域反射仪(OTDR)和中短距离光通信的主要光源之一。
3.
On the basis of investigating the development and progress,the OCT system is set up with superluminescent diode ( SLD ) and a tunable mode locked Ti: Sapphire femtosecond pulse laser source.
超辐射发光二极管和超短脉冲飞秒激光是能满足成像系统要求的理想光源。
6) superluminescent diodes
超辐射发光二极管
1.
Coupling Analysis of the Polarization Maintaining Photonic Crystal Fiber with Superluminescent Diodes;
高偏振稳定光子晶体光纤及其与超辐射发光二极管耦合特性分析
2.
Theoretically,the coupling of cone lensed polarization maintaining fiber with superluminescent diodes is analyzed.
对采用锥形光纤微透镜的保偏光纤与超辐射发光二极管的耦合进行了理论分析。
3.
Non-uniform well-thickness multi-quantum wells(MQWs) materials were adopted to widen the output spectrum of superluminescent diodes(SLDs).
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。
补充资料：辐射发光
α、β、γ及X射线激发物体引起的发光。 α射线是带正电（氦核）的粒子流，而β射线是电子流，都是带电粒子,不过,它们比一般带电粒子，例如阴极射线，能量大得多。γ射线和 X射线是电磁辐射,都是光子流,不过，比可见光、紫外线的光子能量大得多。因此相对地说，辐射发光又可称为高能粒子发光。物体的辐射发光谱与其他方式激发的发光谱基本相同，但从激发过程来看，它们之间有很大的差别。
高能带电粒子入射发光体后,同发光体中的原子(或分子)碰撞，引起原子的激发或电离,从原子电离出来的电子，具有很大的动能，可以继续引起其他原子的激发或电离，因而产生大量次级电子。高能光子流入射发光体时,可能发生光电效应、康普顿效应及形成电子-正电子对（X 射线主要产生光电子）；这些效应也都能产生大量次级电子。以上两种激发情况都有共同的特征：在粒子（光子）通过的路程上有大量的原子被激发或电离，并且产生大量的次级电子，因此这种激发具有密度高和空间不均匀性的特点，它们只发生在粒子（光子）经过的轨迹附近，形成所谓的激发带；典型的例子,对于ZnS材料,α粒子(能量约5MeV)引起的激发带直径只有10-5cm，β粒子(约为1MeV)引起的带直径只有1.8×10-5cm,而X射线（约35keV）引起的带则较大,为9×10-5cm。辐射激发的这些特点使得其发光量子效率大大超过1；例如对于X射线, 高达1000以上的量子效率并不难获得。这些都是有别于普通激发和发光的特点。
但是发光材料受到射线辐照的性状还是比较复杂的。一般地说，长期受到粒子轰击，会逐渐引起原子的位移、形成各种缺陷，因而使无辐射中心数逐渐增加，发光性能逐渐衰退。与此相反，一些材料在射线粒子轰击下却观察到发光增长现象，例如ZnS在α粒子轰击下蓝发射带反而增强。总之辐照下物体的性状是比较复杂的，有待深入研究。
辐射发光可有许多重要应用。其中最重要的有：
① 闪烁计数器、闪烁探测器。用来进行射线强度、能谱及剂量的测量。
② X 射线医疗及工业无损探测用的直接观察屏,以及使乳胶感光的增感屏。直接观察屏要求发光谱与人眼光谱响应匹配，一般谱峰在520～560nm之间。增感屏则要求感光乳胶对X 射线的吸收很少，而屏中的辐射发光材料吸收X 射线发出的光，能使乳胶感光，因此，发出的光应与乳胶的光谱响应相匹配。
③ 永久性发光材料。在发光材料(例如ZnS)中加入少量的放射性同位素，可以不需其他外加能源就能长时间地发光。有些同位素半衰期很长，所以称这种材料为永久性的发光材料。它可以用来作为一种弱照明的不熄光源，例如涂覆在仪表上，可在夜间或暗处观察。实际上，为了减低放射线对人体的伤害，现在常采用半衰期较短、毒害较低的人工同位素,例如氚(3H)半衰期12.33年，钷(147PM)半衰期2.65年，发光材料则用ZnS等。
高能带电粒子入射发光体后,同发光体中的原子(或分子)碰撞，引起原子的激发或电离,从原子电离出来的电子，具有很大的动能，可以继续引起其他原子的激发或电离，因而产生大量次级电子。高能光子流入射发光体时,可能发生光电效应、康普顿效应及形成电子-正电子对（X 射线主要产生光电子）；这些效应也都能产生大量次级电子。以上两种激发情况都有共同的特征：在粒子（光子）通过的路程上有大量的原子被激发或电离，并且产生大量的次级电子，因此这种激发具有密度高和空间不均匀性的特点，它们只发生在粒子（光子）经过的轨迹附近，形成所谓的激发带；典型的例子,对于ZnS材料,α粒子(能量约5MeV)引起的激发带直径只有10-5cm，β粒子(约为1MeV)引起的带直径只有1.8×10-5cm,而X射线（约35keV）引起的带则较大,为9×10-5cm。辐射激发的这些特点使得其发光量子效率大大超过1；例如对于X射线, 高达1000以上的量子效率并不难获得。这些都是有别于普通激发和发光的特点。
但是发光材料受到射线辐照的性状还是比较复杂的。一般地说，长期受到粒子轰击，会逐渐引起原子的位移、形成各种缺陷，因而使无辐射中心数逐渐增加，发光性能逐渐衰退。与此相反，一些材料在射线粒子轰击下却观察到发光增长现象，例如ZnS在α粒子轰击下蓝发射带反而增强。总之辐照下物体的性状是比较复杂的，有待深入研究。
辐射发光可有许多重要应用。其中最重要的有：
① 闪烁计数器、闪烁探测器。用来进行射线强度、能谱及剂量的测量。
② X 射线医疗及工业无损探测用的直接观察屏,以及使乳胶感光的增感屏。直接观察屏要求发光谱与人眼光谱响应匹配，一般谱峰在520～560nm之间。增感屏则要求感光乳胶对X 射线的吸收很少，而屏中的辐射发光材料吸收X 射线发出的光，能使乳胶感光，因此，发出的光应与乳胶的光谱响应相匹配。
③ 永久性发光材料。在发光材料(例如ZnS)中加入少量的放射性同位素，可以不需其他外加能源就能长时间地发光。有些同位素半衰期很长，所以称这种材料为永久性的发光材料。它可以用来作为一种弱照明的不熄光源，例如涂覆在仪表上，可在夜间或暗处观察。实际上，为了减低放射线对人体的伤害，现在常采用半衰期较短、毒害较低的人工同位素,例如氚(3H)半衰期12.33年，钷(147PM)半衰期2.65年，发光材料则用ZnS等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条