双极型,bipolar,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

您的位置：首页 -> 词典 -> 双极型

1) bipolar [英][,baɪ'pəʊlə(r)] [美]['baɪ'polɚ] 点击朗读

双极型

This paper introduces a bipolar over-temperature protection. 点击朗读

先介绍了一种双极型过温保护电路,虽然这种电路模拟精度高,驱动能力强,但电路本身存在热振荡问题。

Plastic capsulation power bipolar transistor exists many reliability problems due to the structure and package style.

由于其自身的结构与封装形式,塑封双极型功率管存在很多可靠性问题。

Some static random access cell circuits based on different Bipolar, CMOS, BiCMOS are presented.

通过采用对双极型(Bipolar)、互补对称式金属–氧化物–半导体型(CMOS)、双极互补金属氧化物半导体型(BiCMOS)三种不同工艺所设计的静态存储单元电路在性能、特点方面进行比较的方法,从而提出一些实际的解决措施,以便研发人员在设计具体的SRAM电路时有所参考。

更多例句>>

2) bipolar-CMOS(BiCMOS) 点击朗读

双极型-CMOS

5 μm bipolar-CMOS(BiCMOS) technology with an area of 2. 点击朗读

5μm双极型-CMOS(BiCMOS)工艺实现,芯片面积为2。

3) Si bipolar 点击朗读

Si双极型

4) BICMOS 点击朗读

双极型CMOS

5) ECL

硅双极型

6) double pole triode 点击朗读

双极型三极管

This paper introduces the electric current magnifying coefficient of double pole triode which works in the reverse active region and compares with its positive active region.

通过对有源区放大系数的分析，导出了双极型三极管工作在反向有源区的电流放大系数，并与正向有源区的电流放大系数进行了比较和分析讨

补充资料：绝缘栅双极型晶体管

绝缘栅双极型晶体管
insulated gate bipolar transistor,IGBT

　　IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表
　　

说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。

参考词条

双极QHD模型双极型传输双极型技术双极型阵列双极型输入双极型逻辑双极型动作双极型特性双极型晶片

双极型CMOSDMOS(BCD) ON型双极细胞双偶极子型

说明：双击或选中下面任意单词，将显示该词的音标、读音、翻译等；选中中文或多个词，将显示翻译。
	您的位置：首页 -> 词典 -> 双极型 1) bipolar [英][,baɪ'pəʊlə(r)] [美]['baɪ'polɚ] 双极型 1. This paper introduces a bipolar over-temperature protection. 先介绍了一种双极型过温保护电路,虽然这种电路模拟精度高,驱动能力强,但电路本身存在热振荡问题。 2. Plastic capsulation power bipolar transistor exists many reliability problems due to the structure and package style. 由于其自身的结构与封装形式,塑封双极型功率管存在很多可靠性问题。 3. Some static random access cell circuits based on different Bipolar, CMOS, BiCMOS are presented. 通过采用对双极型(Bipolar)、互补对称式金属–氧化物–半导体型(CMOS)、双极互补金属氧化物半导体型(BiCMOS)三种不同工艺所设计的静态存储单元电路在性能、特点方面进行比较的方法,从而提出一些实际的解决措施,以便研发人员在设计具体的SRAM电路时有所参考。更多例句>> 2) bipolar-CMOS(BiCMOS) 双极型-CMOS 1. 5 μm bipolar-CMOS(BiCMOS) technology with an area of 2. 5μm双极型-CMOS(BiCMOS)工艺实现,芯片面积为2。 3) Si bipolar Si双极型 4) BICMOS 双极型CMOS 5) ECL 硅双极型 6) double pole triode 双极型三极管 1. This paper introduces the electric current magnifying coefficient of double pole triode which works in the reverse active region and compares with its positive active region. 通过对有源区放大系数的分析，导出了双极型三极管工作在反向有源区的电流放大系数，并与正向有源区的电流放大系数进行了比较和分析讨补充资料：绝缘栅双极型晶体管绝缘栅双极型晶体管 insulated gate bipolar transistor,IGBT 　　IGBT作为开关使用时，为使通态压降UcE低，通常选择为氏E值为10一15v，此情况下通态压降接近饱和值。UGE值影响短路破坏耐量(时间)，耐量值为微秒级，UG。值增加，短路破坏耐量(时间)减少。门极电阻R。的取值影响开关时间，RG值大，开关时间增加，单个脉冲的开关损耗增加。但RG值减小时，di/dt增大，可能会导劲GBT误导通。R殖一般取几十欧至几百欧。主要参数Ic为集电极额定最大直流电流;U(BocES为门极短路时的集一射极击穿电压;尸C为额定l日ey日onshon shuong]!x一ng}ing丈}guon绝缘栅双极型晶体管(insulatedgate biPolartransistor，IG召T)一种场控自关断的电力电子器件，又称绝缘门极双极型晶体管。此种晶体管在80年代迅速发展起来。IGBT的等效电路、图形符号如图(a)所示，图(b)、(c)分别为其转移特性和输出特性。IGBT的输人驱动级为N沟道增强型绝缘栅场效应晶体管MOSFET，输出级为电力晶体管(GTR)，形成达林顿晶体管电路结构。因此IGBT兼有MOSFET高输人阻抗、快开关速度和GTR的高电流密度、低通态压降的优点，但IGBT的门极偏置(又称栅极偏置)对特性影响很大。门极偏置IGBT的导通和关断是由门极电压控制的。如图(b)所示，当门极电压UGE大于N沟道MOSFET的闭值电压(开启电压)UGE(th)时，MOSFET导通，从而给PNP管提供基极电流而使其导通;当门极电压小于氏E(th)时，MOSFET关断，PNP管无基极电流流过而截止。如图(。)所示，当IGBT导通时，工作在特性曲线电流上升区域，UGE增大时，UcE值减小。的最大耗散功率;UcE(sat)为集一射极间的饱和压降;IcE(、，为门极短路时集电极最大关断电流;Rth为结壳间的最大热阻;T为最高工作温度。发展表中列出了各代IGBT器件的典型特性参数。IGBT发展非常迅速，正在向高频、高压、大电流以及降低器件的开关损耗和通态损耗方向发展。已研制出电压高达RN任于二Go一』(a)它珑功勺(b)鲡电为50O0V，10DA/emZ流密度下UCE、。认，E，鲡鲡2.SV左右的IGBT。IGBT、功率MOSF-ET发展前景广阔，已成为中、小功率低压应用领域的主导器件。由于IGBT特性参数优越，，预计2000年功率达IMVA的GTR和GTO逆变器，将被IGBT逆变器所替代。UOE】>陇E，<呱ES (e)IGBT等效电路、图形符号和特性曲线 (a)等效电路、图形符号;(b)转移特性;(。)输出特性各代IGBT器件的典型特性参数表　　说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条双极QHD模型双极型传输双极型技术双极型阵列双极型输入双极型逻辑双极型动作双极型特性双极型晶片

©2011 dictall.com