1) non-linear adjustment of force sensor
力传感器的非线性标定
2) nonlinear sensor
非线性传感器
1.
Based on multi-input multi-output (MIMO) nonlinear sensor, a novel method combined Ferguson-Srikantan test and RBF neural network regressing is proposed in this paper to detect and correct gross error data of sample set.
本文以多输入多输出(MIMO)非线性传感器系统为背景,在Ferguson-Srikantan检验法和RBF神经网络拟合法的基础上提出了一种训练样本集中粗差定位与修复方法。
2.
Based on the comparison with a variety of drive methods of stepping motors, drive circuit for adjusting and testing system of nonlinear sensor ---high-low drive circuit is designed.
本文简要叙述了三相反应式步进电机特性、电磁模型,在对比了步进电机各种驱动方法的基础上,设计了非线性传感器自动校准与测试系统的驱动电路——高低压驱动电路,通过与单电压驱动电路进行对比分析,验证了此电路的简单高效性。
3) boost pressure sensor calibration
增压器压力传感器标定
4) improper boost pressure sensor calibration
不正确的提升压力传感器标定[校准]
5) sensor calibration
传感器标定
1.
Unified data processing method for sensor calibration;
传感器标定的统一数据处理方法
2.
Design of multi-temperature sensor calibration and analysis system based on STC89C52
基于STC89C52的多路温度传感器标定系统
3.
On the basis of deeply studying on CCD remote sensing image radiation correction technology of CBERS-2 satellite,the technology of level 0 image pre-processing,sensor calibration,atmosphere radiation correction,solar irradiation correction are presented.
在对CBERS-2卫星CCD遥感图像辐射校正技术进行深入研究的基础上,给出了图像的0级预处理、传感器标定、大气辐射校正、照度校正等技术方法。
6) non-linear calibration
非线性标定
1.
In order to solve this problem,a non-linear calibration technology,which integrates the data pre-process and Generalized Regression Neural Network(GRNN),is put forward.
针对采用基于电容传感原理的加速度传感器来实现角度测量时出现的非线性问题,提出数据预处理与广义回归神经网络(Generalized Regression Neural Network,GRNN)相结合的非线性标定技术。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条